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北京天科合达新材料有限公司

作品数：23 被引量：0H指数：0
相关机构：北京天科合达半导体股份有限公司新疆天科合达蓝光半导体有限公司江苏天科合达半导体有限公司更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇标准

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 12篇单晶
  • 12篇碳化硅
  • 12篇位错
  • 11篇籽晶
  • 11篇晶片
  • 10篇碳化硅单晶
  • 10篇硅单晶
  • 5篇晶片加工
  • 5篇晶体
  • 4篇晶体生长
  • 3篇单晶片
  • 2篇单晶生长
  • 2篇氮元素
  • 2篇氮原子
  • 2篇导电
  • 2篇导电型
  • 2篇电阻率
  • 2篇对焦
  • 2篇压力调节
  • 2篇原子

机构

  • 23篇北京天科合达...
  • 23篇北京天科合达...
  • 21篇新疆天科合达...
  • 17篇江苏天科合达...
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇北京聚睿众邦...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇河北同光晶体...
  • 1篇北京华进创威...

年份

  • 1篇2023
  • 5篇2022
  • 9篇2021
  • 3篇2020
  • 5篇2019
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高效的碳化硅晶片的加工方法
本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种高效的碳化硅晶片的加工方法，包括晶片倒角、双面机械研磨、砂轮抛光、双面化学机械抛光。本发明采用金刚石砂轮抛光衔接双面机械研磨和双面化学机械抛光，摒弃传统单面加工方法中的有蜡贴...
蔡振立刘春俊彭同华
文献传递
一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法
本发明公开了一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，在特定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在生长过程...
刘春俊雍庆彭同华赵宁王波杨建
文献传递
一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的制造方法
本发明针对在籽晶接长时发生位错等缺陷大幅增加问题，提供了一种从生长的初期阶段开始显著降低位错密度的SiC单晶的生长方法，从而制造出位错密度从生长初期到末期都较低的SiC单晶。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由...
娄艳芳刘春俊彭同华王波赵宁杨建
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一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用
本发明提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶片，且含有氮；碳面中的氮浓度低于硅面中的氮浓度，且氮浓度在晶片厚度方向上，随着距碳面的距离的增大而增加。本发明中的碳化硅单晶晶片能够保证向碳面凸起弯曲。此种向碳面凸起弯曲的结构在晶体...
刘春俊姚静雍庆娄艳芳赵宁王波彭同华杨建
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一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶
本发明提供了一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶，方法包括：在碳化硅粉料和籽晶之间设置碳化硅晶体块，加热，碳化硅粉料升华后在所述碳化硅晶体块处结晶，生成碳化硅过渡层，碳化硅过渡层升华后在籽晶处结晶，生长...
刘春俊雍庆赵宁彭同华杨建
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一种高质量SiC单晶片及其制备方法
本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单...
娄艳芳刘春俊赵宁彭同华杨建
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一种高质量SiC单晶片及其制备方法
本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单...
娄艳芳刘春俊赵宁彭同华杨建
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一种位错检测系统
本申请公开了一种位错检测系统，所述位错检测系统采用对焦模块按照预设路径向待测样品出射探测光线，并接收所述待测样品反射的所述探测光线，并根据接收的所述探测光线形成探测图像，然后利用数据处理模块基于图像处理技术对所述待测图像...
娄艳芳刘春俊彭同华王波赵宁杨建张平邹宇杨帆
一种导电型碳化硅单晶及其制备方法
本发明提供了一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素包括氮和原子半径大于硅的原子半径的元素；所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半径大于硅的原子半径的元素的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到10...
刘春俊雍庆娄艳芳赵宁姚静王波彭同华杨建
一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法
本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×10<Sup>6</Sup>Ω·cm。本发明还提供了一种上述技术方案所...
刘春俊姚静赵宁彭同华杨建
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