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山西烁科晶体有限公司: 作品数：107 被引量：15H指数：2; 相关机构：河北普兴电子科技股份有限公司中国电子科技集团公司中电化合物半导体有限公司更多>>; 发文基金：山西省科技重大专项中国电子科技集团公司创新基金国际科技合作与交流专项项目更多>>; 相关领域：化学工程电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

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一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法: 本发明公开了一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，装置包括底板和连接在底板上的多个门型石墨棒，每个门型石墨棒中间设置有石墨隔板，每个门型石墨棒的外部还罩设有石墨坩埚，石墨坩埚的外部罩设有外罩，外罩底部与底板相连接，底板...; 李斌靳霄曦马康夫毛开礼张继光魏汝省张辰宇

一种用于制备碳化硅粉料的石墨坩埚: 本实用新型涉及一种用于制备碳化硅粉料的石墨坩埚，属于碳化硅粉料制备技术领域；包括多个依次上下堆叠的分层坩埚以及设置于最上层的分层坩埚上方的坩埚盖；分层坩埚为圆筒状结构，内部通过水平的坩埚底分为独立的两部分，坩埚底的上端设...; 陈琪魏汝省赵丽霞马康夫方芃博张辰宇李刚许正张馨丹; 文献传递

一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法: 本发明属于半导体材料加工技术领域，是一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法；步骤包括：采用电子加速器对晶片进行辐照；先水平辐照晶片的小面区域；之后将晶片顺时针旋转90°，以晶片中轴线为界依次辐照中轴线一侧没有小面区域的区域和...; 刘晓星魏汝省赵丽霞张峰李鹏范云靳霄曦牛玉龙

中空轴磁流体密封装置、方法及高温真空热处理设备: 本发明提供了一种用于高温真空热处理设备的中空轴磁流体密封装置，属于密封装置技术领域。本发明包括：具有中空隔热结构的双层中空旋转轴和整体水冷夹套结构。本发明通过将中空轴改进为具有中控隔热结构的双层中空旋转轴，能够减小热端至...; 刘慧强周立平魏汝省王琪李天张继光张瑾

基于氦质谱检漏技术的SiC衬底微管检测设备: 2025年; 为解决SiC衬底微管缺陷检测精度低、效率差的问题,研制了基于氦质谱检漏技术的SiC衬底微管检测设备。该设备以PFEIFFER公司的ASM 340型检漏仪作为检测核心、西门子S7-1200系列可编程逻辑控制器(PLC)作为控制核心、节卡机器人股份有限公司的JAKA Zu@7型机器人作为自动搬运系统,实现SiC衬底微管缺陷的全自动检测。使用ANSYS Workbench仿真平台对衬底密封结构进行受力分析和计算仿真,以确保衬底在大气压作用下不会碎裂。该设备检测到的漏率最低值为3.0×10^(-10)Pa·m^(3)/s,测试速度为2.5 min/片,均显著优于漏液检测法;重复测试数据偏差小于10%,结果稳定可靠。通过瑕疵微管检测仪和奥林巴斯显微镜对SiC衬底湿法腐蚀前后状态进行检测,发现视觉技术无法准确识别贯穿微管缺陷。该设备可以显著提高SiC衬底微管的检测精度与效率,降低检测成本,对于提升SiC衬底质量具有重要意义。; 周立平刘慧强王琪李明张继光; 关键词：SIC衬底

一种单晶生长用坩埚: 本实用新型涉及单晶坩埚技术领域，具体为一种单晶生长用坩埚，包括保温外壳，保温外壳内连接设有加热坩埚，加热坩埚的下端与保温外壳固定连接，保温外壳与加热坩埚之间连通开设有通气孔，加热坩埚内开设有通气腔，通气腔的下侧壁上连接设...; 魏汝省李天罗东李斌毛开礼靳霄曦

可移动调节的晶体测距检验装置: 本发明公开了可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：可移动调节的...; 靳霄曦徐伟魏汝省张继光李斌王英民侯晓蕊周立平张峰弓吉祥; 文献传递

10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响被引量：1: 2022年; 本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响.X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明:1.29×10^(19)、2.60×10^(19)和3.90×10^(19) cm^(−2)的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响,剂量达到5.20×10^(19) cm^(−2)后,样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样品的电阻率,显示随着辐照累积剂量的增加,样品的电阻率逐渐增加,电阻分布逐渐均匀.; 刘晓星袁智明李岳彬李根; 关键词：4H-SIC 高能电子辐照电阻率

碳化硅原料的合成装置及其合成方法: 本发明提供了一种碳化硅原料的合成装置，属于碳化硅制备技术领域。本发明包括密闭空间，由下托盘、围挡和上盖围合而成；若干石墨盘，设置于密闭空间内，且呈上下分层布置；导气杆，其插入若干石墨盘中心，其上开设有若干输气孔；下托盘上...; 魏汝省马康夫李天张辰宇陈琪李刚许正

一种高温化学沉积制备碳化硅单晶的装置和方法: 本发明提供了一种高温化学沉积制备碳化硅单晶的装置和方法，涉及单晶材料制备技术领域。本发明提供的装置包括双层水冷套以及设置于所述双层水冷套两端的上密封法兰和下密封法兰；还包括设置于所述双层水冷套内部的坩埚；还包括与所述坩埚...; 魏汝省李斌王英民周立平毛开礼范云靳霄曦樊晓; 文献传递