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哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司

作品数：190 被引量：1H指数：1
相关机构：有色金属技术经济研究院山西烁科晶体有限公司中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：化学工程理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 179篇专利
  • 9篇标准
  • 2篇期刊文章

领域

  • 37篇化学工程
  • 22篇理学
  • 12篇金属学及工艺
  • 9篇自动化与计算...
  • 6篇电子电信
  • 4篇建筑科学
  • 3篇经济管理
  • 2篇机械工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 73篇晶体
  • 68篇坩埚
  • 56篇碳化硅
  • 56篇籽晶
  • 45篇晶体生长
  • 43篇单晶
  • 18篇石墨
  • 18篇碳化硅单晶
  • 18篇硅单晶
  • 18篇硅粉
  • 17篇石墨坩埚
  • 15篇氮化
  • 15篇碳化硅粉
  • 14篇氮化铝
  • 13篇多孔
  • 12篇单晶生长
  • 11篇保温
  • 10篇粘接
  • 9篇碳化钽
  • 8篇电阻

机构

  • 190篇哈尔滨科友半...
  • 6篇有色金属技术...
  • 5篇山西烁科晶体...
  • 4篇中国电子科技...
  • 3篇北京天科合达...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇河北普兴电子...
  • 2篇江苏卓远半导...
  • 2篇湖南宇晶机器...
  • 2篇山东天岳先进...
  • 2篇有研国晶辉新...
  • 2篇丹东新东方晶...
  • 2篇国标(北京)...
  • 2篇浙江金瑞泓科...
  • 2篇宁波合盛新材...
  • 2篇中电化合物半...
  • 2篇浙江晶瑞电子...
  • 2篇江苏华兴激光...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇高伟

传媒

  • 1篇奋斗
  • 1篇冶金与材料

年份

  • 11篇2025
  • 16篇2024
  • 16篇2023
  • 25篇2022
  • 79篇2021
  • 39篇2020
  • 4篇2019
共 190 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种降低氮化铝单晶中氧杂质与缺陷的籽晶处理方法
一种降低氮化铝单晶中氧杂质与缺陷的籽晶处理方法，它属于氮化铝籽晶的预处理方法领域。本发明配置表面处理剂，配置好的表面处理剂、氮化铝晶片、清洗剂、固体石蜡、电加热套放入惰性气体保护的手套箱，静置3‑4h；将氮化铝晶片浸入到...
不公告发明人
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一种边缘便于识别的无损单晶片及其标记方法和专用砂轮
本发明公开了一种边缘便于识别的无损单晶片及其标记方法和专用砂轮，属于半导体加工技术领域，是针对现有单晶片标记方法加工效率低的缺陷所提出，晶片本体包括上表面和下表面，在晶片本体的边缘处加工有用于识别的倒角，倒角包括上斜面和...
不公告发明人
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一种晶体外包装加工装置
一种晶体外包装加工装置，属于晶体包装设备领域。本实用新型解决了目前晶体外包装收缩膜加热收缩时需要大量的人工操作、操作不当会产生较多的残次品，影响晶体外包装效率且提高了晶体的包装成本的问题。本实用新型包括工作台、传动机构、...
不公告发明人
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一种能同时碳化多个钽片的装置及方法
本发明涉及一种碳化钽片的装置及方法，属于半导体材料制备技术领域。为解决现有钽片碳化装置无法分清碳化前和碳化后的钽片碳化情况的不足，本发明提供了一种能同时碳化多个钽片的装置，包括：坩埚体、坩埚上盖、钽片托架、保温层垫块和保...
不公告发明人
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基于碳化硅石墨烯材料的气体检测装置与制备方法
本发明涉及一种基于碳化硅石墨烯材料的气体检测装置与制备方法，在碳化硅层2上形成石墨烯层3形成复合碳化硅石墨烯层，复合碳化硅石墨烯材料石墨烯层3上镀矩阵式接触金属层，金属层上涂氧化锌颗粒层5未接触金属层石墨烯上形成有金纳米...
不公告发明人
一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法
一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法，它涉及籽晶处理的装置与方法。它是要解决现有的籽晶在SiC晶体生长过程中容易出现平面六方空洞缺陷的技术问题。该装置包括炉体、石墨坩埚、石墨支架、感应线圈、真空泵、测温仪和鼓...
不公告发明人
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一种晶体加工用快速烘干装置
本实用新型涉及晶体加工技术领域，且公开了一种晶体加工用快速烘干装置，包括烘干仓和门板，所述门板安装于烘干仓的内部，所述烘干仓的内部安装有放置组件，所述烘干仓的顶部安装有烘干组件，所述放置组件由引水单元和活动单元组成，引水...
张胜涛赵丽丽
一种晶体加工过程用粉尘收集装置
本实用新型涉及粉尘收集技术领域，且公开了一种晶体加工过程用粉尘收集装置，包括支撑板、支撑架、降尘装置和打磨装置，所述支撑板安装于支撑板的顶面，所述降尘装置安装于支撑板的顶面，所述打磨装置安装于支撑板的顶面，所述降尘装置包...
李铁赵丽丽
一种多孔碳化硅原料的制备方法
一种多孔碳化硅原料的制备方法，它属于多孔碳化硅材料制备技术领域。本发明要解决的技术问题为改善多孔碳化硅原料的孔隙率。本发明称量碳化硅放入球磨罐中，然后放入0.5倍质量的钨钢磨球，进行球磨后的碳化硅用筛子筛分，按照重量份数...
不公告发明人
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一种减少晶体热应力的处理方法
一种减少晶体热应力的处理方法，它属于晶体处理技术领域。本发明要解决的技术问题为热应力导致晶体碎裂。本发明将碳化硅晶体置于加热炉中，通入氩气或氮气作为保护气体，控制炉内压力为0.1‑0.2MPa，加热炉加热速率为600‑7...
不公告发明人
文献传递
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