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山东天岳先进科技股份有限公司

作品数：388 被引量：4H指数：1
相关机构：中国电子科技集团公司中国科学院有色金属技术经济研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 373篇专利
  • 10篇标准
  • 5篇期刊文章

领域

  • 53篇化学工程
  • 37篇电子电信
  • 16篇理学
  • 13篇自动化与计算...
  • 12篇文化科学
  • 8篇金属学及工艺
  • 7篇环境科学与工...
  • 4篇经济管理
  • 4篇机械工程
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 146篇碳化硅
  • 82篇晶体
  • 78篇坩埚
  • 69篇籽晶
  • 60篇衬底
  • 59篇半导体
  • 56篇单晶
  • 40篇碳化硅单晶
  • 40篇硅单晶
  • 39篇碳化硅衬底
  • 39篇硅衬底
  • 32篇晶体生长
  • 30篇半导体材料
  • 26篇晶片
  • 21篇位错
  • 20篇微管
  • 19篇升华
  • 19篇组件
  • 19篇保温
  • 14篇炉体

机构

  • 388篇山东天岳先进...
  • 10篇中国电子科技...
  • 5篇中国科学院
  • 5篇有色金属技术...
  • 4篇中国电子科技...
  • 4篇河北普兴电子...
  • 4篇山西烁科晶体...
  • 4篇中电化合物半...
  • 3篇河北半导体研...
  • 3篇山东大学
  • 3篇浙江大学
  • 3篇江苏卓远半导...
  • 3篇深圳市星汉激...
  • 3篇北京天科合达...
  • 3篇之江实验室
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子技术...
  • 2篇哈尔滨科友半...
  • 2篇长飞光纤光缆...
  • 2篇浙江晶瑞电子...

作者

  • 2篇芦伟立
  • 2篇兰欣
  • 1篇马农农
  • 1篇房玉龙
  • 1篇冯显英
  • 1篇李慧
  • 1篇李沛刚
  • 1篇郑红军
  • 1篇贺东江
  • 1篇高伟
  • 1篇李佳
  • 1篇陈红梅
  • 1篇孟凡桂

传媒

  • 1篇表面技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇内燃机与动力...
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 36篇2025
  • 68篇2024
  • 48篇2023
  • 65篇2022
  • 171篇2021
共 388 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种反应器定位装料装置及半导体自动化装卸系统
本申请公开了一种反应器定位装料装置及半导体自动化装卸系统，属于半导体材料制备技术领域。该装置包括：装载台，所述装载台用于支撑炉体下盖和反应器，所述反应器设置在所述炉体下盖的上方；定位模板，所述定位模板与所述炉体下盖和反应...
张健刘咸朕许登基李文强王勃
一种用于制备高质量碳化硅晶体的保温装置
本申请公开了一种用于制备高质量碳化硅晶体的保温装置，包括：配套的保温筒和保温盖，所述保温筒的内部具有空腔，所述保温筒的顶部具有连通所述空腔的开口，在装配状态下，所述保温筒的空腔内放置有坩埚；所述保温盖的底部开设有与所述保...
张九阳李霞王永方杨晓俐张红岩高超刘光旭苏丽娜
一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件
本发明提供了一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，涉及碳化硅晶片技术领域。该碳化硅衬底由晶体至少经过切割步骤后得到，晶体的制备方法包括晶体稳定生长阶段，晶体稳定生长阶段的生长工艺条件包括以下步骤：靠近晶体生长...
高超潘亚妮宁秀秀高宇晗杨晓俐石志强
一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底
本申请公开了一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底，属于碳化硅材料制备技术领域。所述碳化硅晶体任意位置处的电阻率&gt;10<SUP>6</SUP>Ω·cm，所述碳化硅晶体制备得到1～N个碳化硅衬底，N取自正整数，...
张九阳高超赵树春李霞张宁刘圆圆孟庆豪王路平周坤刘浩
一种循环冷却系统及长晶炉
本申请公开了一种循环冷却系统及长晶炉，尤其涉及一种用于碳化硅生长的循环冷却系统及长晶炉，所述循环冷却系统包括：循环管路；冷却组件，所述冷却组件包括冷却腔、缓冲腔、第一冷却介质、第二冷却介质和第三冷却介质，所述缓冲腔及待冷...
李帅刘家朋潘亚妮邵红李硕石志强
文献传递
一种晶体生长的装置及方法
本发明提供了一种晶体生长的装置及方法，该装置包括：上坩埚，其用于晶体的生长，上坩埚的底部设置有多个上筛孔；下坩埚，其位于上坩埚的下方，下坩埚的底部封闭，顶部设置有多个下筛孔，下筛孔与上筛孔错位设置；升降装置，包括控制上坩...
张虎刘圆圆周敏郑荣庆高立志刘伟周国顺
文献传递
一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件
本发明公开了一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件，属于半导体材料技术领域。所述n型碳化硅单晶晶体距离籽晶面≤10mm部分所得的衬底边缘10mm环状范围内贯穿螺型位错密度＜300cm<Sup>‑2</Sup>...
高宇晗高超方帅王路平王宗玉石志强杨晓俐宁秀秀
一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置
本申请涉及一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置，属于半导体材料制备领域。该大尺寸碳化硅单晶的制备方法，其包括下述步骤：提供坩埚和籽晶柱；将原料装入坩埚侧壁的夹层形成的原料腔，将籽晶柱安装在坩埚内，组装后放入长...
高超李霞宁秀秀张九阳宗艳民
文献传递
一种带自保护装置的冷却系统
本申请公开了一种带自保护装置的冷却系统，包括冷却循环装置、检测装置和自保护装置；冷却循环装置包括依次连接的进水管件、石英管组、出水管件和单向阀，检测装置用于监测石英管组的水温和出水管件的水流量；自保护装置包括泄水阀组件和...
史建伟柴志强杨振鲁韩政
一种高质量n型碳化硅及其制备方法
本申请公开了一种高质量n型碳化硅晶体的制备方法，包括下述步骤：(1)组装阶段；(2)加热阶段；(3)长晶阶段：将含有氮源气体和惰性保护气体的混合气体通入到所述长晶炉内，控制所述长晶炉至所需的压力，在所述籽晶上生长n型碳化...
方帅高宇晗高超
文献传递
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