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武汉鼎泽新材料技术有限公司
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一种氧化铈粉体、制备方法及化学机械抛光液
本发明公开了一种氧化铈粉体、制备方法及化学机械抛光液。本发明提供一种氧化铈粉体的制备方法,包括以下步骤:S1、在空气条件下,形成氯化铈溶液与铵盐溶液的混合溶液;S2、在惰性气体氛围下,向混合溶液中继续滴加铵盐溶液,滴加完...
向靖宇
谭显民
王临曦
肖桂林
一种表面粗糙的胶体二氧化硅及其制备方法和应用
本发明提供了一种表面粗糙的胶体二氧化硅及其制备方法和应用,以低金属离子杂质(≤1ppm)的硅氧烷为原料,联合氨丙基硅烷电荷调整剂与碱性氨基酸、碱性物质构建复合催化体系,通过氨基‑羧基缩合及硅烷水解,形成表面具有链状支链突...
陈俊
李小龙
李清涛
杨淞元
甄臻
邹毓
董昊
刘文军
一种颗粒物清除效率的快速评价方法
本发明公开了一种颗粒物清除效率的快速评价方法,对半导体制造中化学机械抛光处理后的晶圆表面颗粒物的清除效率进行评价,包括:切割处理晶片得到晶片样品,进行沾染实验,获得待清洗的晶样;进行形貌分析,获得清洗前三维形貌图像;用清...
胡怀志
刘子龙
冉运
马超
魏志远
朱顺全
文献传递
化学机械抛光用双分散硅溶胶及其制备方法和应用
本发明公开了一种化学机械抛光用双分散硅溶胶,所述双分散硅溶胶由粒径为40~60nm的第一硅溶胶晶种和粒径为40~70nm的第二硅溶胶晶种生长形成,所述双分散硅溶胶的粒径为70~100nm,所述双分散硅溶胶的DLS粒径均值...
高念
李小龙
周航
欧阳广成
刘子龙
肖桂林
评价晶片清洗效率的方法及实验装置
本发明涉及一种用于评价晶片清洗效率的方法及实验装置,解决了现有方法准确性不高、存在系统误差和人为误差的问题。方法为将粘染物溶液滴入旋转中的晶片样品表面进行沾染实验,获得表面带有缺陷的沾染晶片样品;使用形貌表征仪器对沾染晶...
刘子龙
胡怀志
冉运
朱顺全
文献传递
一种宽分布大粒径硅溶胶的制备方法、硅溶胶及其应用
本发明公开了一种宽分布大粒径硅溶胶的制备方法、硅溶胶及其应用。本发明公开了一种宽分布大粒径硅溶胶的制备方法,先向30~50nm的无机硅晶种溶液中滴加第一有机硅溶液反应,再向其中滴加第二有机硅溶液反应,制备粒径为20~14...
刘志国
欧阳广成
肖桂林
徐东
周航
高念
一种宽分布大粒径硅溶胶的制备方法、硅溶胶及其应用
本发明公开了一种宽分布大粒径硅溶胶的制备方法、硅溶胶及其应用。本发明公开了一种宽分布大粒径硅溶胶的制备方法,先向30~50nm的无机硅晶种溶液中滴加第一有机硅溶液反应,再向其中滴加第二有机硅溶液反应,制备粒径为20~14...
刘志国
欧阳广成
肖桂林
徐东
周航
高念
一种清洗液管路供给装置
本实用新型公开了一种清洗液管路供给装置,包括进液管,所述进液管的表面设置有控制阀门,所述进液管的出液端连接有蓄液箱,所述蓄液箱的上表面设置有剂量盒,所述蓄液箱的内顶壁固定连接有直角板,所述直角板的竖板侧面固定连接有导液板...
陈俊武
刘子龙
肖桂林
一种抛光液温度控制装置
本实用新型公开了一种抛光液温度控制装置,包括储存盒,所述储存盒的两侧分别设置有进液管和出液管,且出液管的表面设置有控制阀门,所述储存盒的上表面设置有设备盒,所述设备盒的内底壁设置有马达,且马达的输出端固定连接有传动杆,所...
黄维
刘子龙
肖桂林
一种清洗液贮留罐
本实用新型公开了一种清洗液贮留罐,包括罐体,所述罐体的底部固定连接有限位环,所述限位环的下表面转动连接有底座,所述底座的上表面转动连接有凸盘,所述底座的侧面卡接有直角杆,所述直角杆的一端设置有阻尼转轴,所述罐体的上表面设...
冉运
肖文正
刘子龙
肖桂林
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