江焱
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- W-Mo合金表面超精密加工的CMP技术研究被引量：3
- 2008年
- 阐述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金工艺中,在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。采用碱性抛光液进行实验,确定了抛光液的成分;分析了W-Mo合金化学机械抛光中压力、流量、转速、pH值、活性剂等参数对W-Mo合金的影响。实验表明,实现W-Mo合金表面超精密抛光的最佳条件为：压力0.06MPa,流速160mL/min,转速60r/min,pH值10.1-10.3。
- 江焱刘玉岭李咸珍
- 关键词：化学机械抛光去除速率
- 影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究被引量：4
- 2008年
- 介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数。在抛光液中加入了FA/OⅠ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层结构。通过实验比较了在SiO2磨料碱性抛光液中加入CeO2对抛光速率的影响,得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件。在常温条件下工艺参数为转速60r/min、压力0.22MPa和流速210mL/min时,能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量。
- 李咸珍刘玉岭宗思邈张伟江焱
- 关键词：化学机械抛光微晶玻璃氧化铈
