李咸珍
- 作品数：5 被引量：17H指数：3
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- W-Mo合金表面超精密加工的CMP技术研究被引量：3
- 2008年
- 阐述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金工艺中,在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。采用碱性抛光液进行实验,确定了抛光液的成分;分析了W-Mo合金化学机械抛光中压力、流量、转速、pH值、活性剂等参数对W-Mo合金的影响。实验表明,实现W-Mo合金表面超精密抛光的最佳条件为：压力0.06MPa,流速160mL/min,转速60r/min,pH值10.1-10.3。
- 江焱刘玉岭李咸珍
- 关键词：化学机械抛光去除速率
- 磨料和H_2O_2对InSb CMP效果影响的研究被引量：5
- 2008年
- InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和氧化剂含量对InSb的CMP效果的影响规律,实验研究了磨料和氧化剂(H2O2)的优化配比参数,并在此参数下,获得了良好的抛光表面。
- 张伟刘玉岭孙薇唐文栋宗思邈李咸珍侯丽辉
- 关键词：锑化铟磨料双氧水化学机械抛光
- 蓝宝石衬底材料CMP去除速率的影响因素被引量：5
- 2009年
- 阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响。提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH值、大流量或低pH值,小流量)可得到较高去除速率,且前者速率高于后者。实验采用nm级SiO2溶胶为磨料的碱性抛光液,使用强碱KOH作为pH调节剂,并加入了适当的表面活性剂及螯合剂等。工艺参数为压力0.18MPa、温度45℃、转速60r/min,采用Rodel-suba 600抛光布,在保证表面质量的同时得到的最大去除速率为11.35μm/h。
- 宗思邈刘玉岭牛新环李咸珍张伟
- 关键词：化学机械抛光蓝宝石衬底去除速率
- 影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究被引量：4
- 2008年
- 介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数。在抛光液中加入了FA/OⅠ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层结构。通过实验比较了在SiO2磨料碱性抛光液中加入CeO2对抛光速率的影响,得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件。在常温条件下工艺参数为转速60r/min、压力0.22MPa和流速210mL/min时,能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量。
- 李咸珍刘玉岭宗思邈张伟江焱
- 关键词：化学机械抛光微晶玻璃氧化铈
- 微晶玻璃CMP技术及去除速率的研究
- 科技的进步极大地推动了技术的发展，随着光学领域和微电子学领域及其相关技术的发展，对所需材料表面质量的要求越来越高，超光滑表面的加工技术得到了广泛关注。微晶玻璃以其优良的特性应用于电子、微电子、光电子领域，主要用于制作第二...
- 李咸珍
- 关键词：微晶玻璃化学机械抛光去除速率超精密加工
- 文献传递
