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姚达

作品数：2 被引量：4H指数：2
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇氧化锡
  • 1篇抗辐射
  • 1篇溅射
  • 1篇硅栅
  • 1篇二氧化锡
  • 1篇二氧化锡薄膜
  • 1篇PECVD
  • 1篇MOS器件

机构

  • 2篇电子工业部

作者

  • 2篇姚达
  • 1篇李婉莹
  • 1篇张沈军
  • 1篇许仲德

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇微处理机

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1995
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
PECVD及溅射／蒸发生长二氧化锡薄膜的成形技术被引量：2
1995年
针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法——等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此实现了与ＩＣ加工工艺兼容良好的ＳｎＯ＿２薄膜成形技术。
张沈军李婉莹姚达陶星
关键词：二氧化锡PECVD溅射
多晶硅栅MNOS结构的抗辐射的研究被引量：2
1998年
本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能；验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移，是一种优越的抗辐射加固材料。
姚达许仲德王明浩
关键词：抗辐射多晶硅栅MOS器件
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共1页<1>
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