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许仲德

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：电子工业部更多>>
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合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇抗辐射
  • 2篇电路
  • 2篇CMOS电路
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅栅
  • 1篇硅
  • 1篇IC
  • 1篇MOS器件

机构

  • 3篇电子工业部

作者

  • 3篇许仲德
  • 1篇李正孝
  • 1篇苏秀娣
  • 1篇陆剑侠
  • 1篇袁凯
  • 1篇张沈军
  • 1篇陈桂梅
  • 1篇姚达

传媒

  • 3篇微处理机

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
1996年
论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中，栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。
陆剑侠李正孝张沈军许仲德陶星袁凯
关键词：CMOS电路硅
IC抗辐射加固的方法被引量：4
1998年
本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理，并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路，提出了抗辐射加固技术的方法。
陈桂梅许仲德苏秀娣
关键词：抗辐射加固集成电路CMOS电路
多晶硅栅MNOS结构的抗辐射的研究被引量：2
1998年
本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能；验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移，是一种优越的抗辐射加固材料。
姚达许仲德王明浩
关键词：抗辐射多晶硅栅MOS器件
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共1页<1>
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