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朱加兵

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇带隙基准
  • 1篇电压源设计
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇抑制比
  • 1篇温度系数
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇半导体
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇宋志棠
  • 1篇封松林
  • 1篇刘波
  • 1篇沈菊
  • 1篇朱加兵

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种高精度CMOS带隙基准电压源设计被引量：5
2007年
介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18μm CMOS工艺。Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB。该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路。
沈菊宋志棠刘波封松林朱加兵
关键词：带隙温度系数电源抑制比互补金属氧化物半导体
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