沈菊
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自然科学总论自动化与计算机技术更多>>
- 相变存储器芯片电路设计与实现
- 相变存储器是一种新型的非易失性半导体存储器,具有高速、高集成度、低压、低功耗、与CMOS工艺兼容等优点,被国际半导体工业协会认为是最有可能取代SRAM、DRAM和FLASH等当今主流产品而成为未来存储器主流和最先成为商用...
- 沈菊
- 关键词：基准电压偏置电流CMOS
- 文献传递
- 相变存储器驱动电路
- 本发明涉及一种相变存储器驱动电路，其特征在于采用两级电流镜结构，第一级为由NMOS管形成的电流镜电路，第二级为由PMOS管形成的电流镜电路，第一级与第二级电流镜电路相互连接，并且第二级的输出信号最终耦合至位线。在第一级与...
- 宋志棠沈菊刘波封松林
- 文献传递
- 相变存储器驱动电路的设计与实现被引量：2
- 2008年
- 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0·18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果。
- 沈菊宋志棠刘波封松林
- 关键词：相变存储器电流驱动基准电压偏置电流电流镜互补金属氧化物半导体
- 相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法
- 本发明涉及一种相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法，其特征在于采用将一相变电阻GST与一NMOS选通管按一定方式相互连接的IRIT结构，并基于此提出了驱动电路的设计方法，其特征在于选通管的源端接驱动电路的一...
- 宋志棠沈菊刘波封松林
- 文献传递
- 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计被引量：5
- 2007年
- 介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18μm CMOS工艺。Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB。该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路。
- 沈菊宋志棠刘波封松林朱加兵
- 关键词：带隙温度系数电源抑制比互补金属氧化物半导体
