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一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法，提供P型衬底，通过N型离子注入，在P型衬底上形成BNW区；在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区；在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离；在...; 陈晓宇赵杰孙有民薛智民; 文献传递

一种超低电压输出的基准电路结构: 本发明提供一种超低电压输出的基准电路结构，包括启动电路，所述启动电路输出端分别连接有PTAT电流产生电路和基准电压产生电路；所述PTAT电流产生电路的输出端连接基准电压产生电路；所述启动电路用于建立起始工作点，所述PTA...; 张铎澜廖雪武琪尤路魏海龙赵杰

一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺: 本发明一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺，在硅衬底上形成有源区，之后在NMOS的有源区上形成P阱，在PMOS的有源区上形成N阱，然后形成场氧化层和进行阈值注入，形成栅氧层和多晶栅，接下来按照0.13～0.8μm硅栅C...; 陈晓宇曹磊赵杰孙有民; 文献传递

基于BCD工艺的LDMOS器件栅结构优化研究进展: 2025年; LDMOS(Lateral Double-diffused complementary Metal Oxide Semiconductor)器件具有开关速度快、驱动能力强、输入阻抗高、热稳定性好等特点,主要应用于智能功率集成电路,是BCD工艺中的主流功率器件。目前关于LDMOS器件研究的热点主要集中在对其结构的优化,重点是如何平衡击穿电压和比导通电阻这一对矛盾优化参数。为了平衡这两种参数以获得更高性能的LDMOS器件,提出了各种性能优化方法。在LDMOS器件中引入多栅结构作为一种有效的性能提升方法有着其得天独厚的优势,但相关研究较少。以近年来报道的LDMOS器件各种新结构中的多栅结构优化为主,分析了多栅结构对于LDMOS器件的性能的影响,详细讨论了双栅、平面栅、槽栅、漂移区栅和三栅在改善LDMOS器件性能中所起的作用和效果,最后总结了这些新结构与传统结构的优缺点。; 鲁文举赵杰曹磊田凯刘存生; 关键词：LDMOS BCD工艺比导通电阻击穿电压

一种可对非受光区遮挡的光敏二极管结构及制作方法: 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种可对非受光区遮挡的光敏二极管结构及制备方法，该结构包括光敏二极管和金属互联单元层；所述金属互联单元层布设在光敏二极管的顶面，所述光敏二极管的顶面中心位置处设有受光区，且在受光区的两侧分...; 王成熙赵杰王英民陈宝忠刘存生折宇卓青青信会菊白帅史泽堃

一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺: 本发明一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺，所述工艺先形成N阱和P阱，然后进行N场条注入，提高了最终形成的NMOS器件场区边缘处的开启阈值，接着多晶栅覆盖栅氧下方的硅衬底中形成器件沟道，N型和P型轻掺杂源漏...; 陈晓宇曹磊宋坤赵杰孙有民薛智民; 文献传递

一种PIP电容的制备方法: 本发明涉及CMOS集成电路制造工艺领域，公开了一种PIP电容的制备方法，首先，通过注入减少PIP电容下极板WSi<Sub>x</Sub>薄膜应力，然后，通过干法刻蚀减少PIP电容下极板表面寄生的SiO<Sub>2</Su...; 陈晓宇薛东风赵杰刘存生陈宝忠

一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法: 本发明公开了一种具有稳定击穿电压的稳压二极管的制备方法，该制备方法是一种通过调整P型区杂质纵向分布改善稳压二极管击穿电压稳定性的工艺方法，通过高能离子注入工艺，降低稳压二极管P型区杂质浓度梯度：采用高能离子注入后低温退火...; 王清波薛东风薛智民孙有民赵杰; 文献传递

一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法: 本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横...; 赵杰薛东风薛智民孙有民王清波卓青青杜欣荣

一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P...; 孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙; 文献传递

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赵杰