丛树仁
- 作品数：12 被引量：13H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 碲锌镉衬底表面处理研究
- 2023年
- 主要从碲锌镉表面处理工艺及表面位错缺陷揭示两个方面对碲锌镉衬底的表面处理研究进行了详细介绍。从表面处理机理和工艺参数对衬底表面的影响两个方面介绍了机械研磨、机械抛光、化学机械抛光以及化学抛光4种表面处理工艺。同时,介绍了能揭示碲锌镉不同晶向表面的位错缺陷的Everson、Nakagawa及EAg三种化学腐蚀液。
- 江先燕丛树仁宁卓起文斌刘燕宋林伟孔金丞
- 关键词：表面处理
- 一种高面形质量的碲锌镉晶片加工方法
- 本发明公开了一种高面形质量的碲锌镉晶片加工方法，该方法将对碲锌镉晶片加工过程的不利因素，通过调整工艺步骤，将不利因素互相中和，以此达到制备高面形质量碲锌镉晶片的目的，即利用碲锌镉晶片磨抛过程中产生的损伤层应力对晶片造成的...
- 宁卓孔金丞宋林伟刘燕丛树仁王静宇郑要争江先燕刘文军
- 高纯碲和镉中痕量杂质元素的辉光放电质谱分析被引量：9
- 2010年
- 采用辉光放电质谱(GD-MS)对碲、镉原材料中锂、硼、钠、铝、硅、铁、铜、锌、镓、砷、银、金、铅、铀等62个杂质元素进行了测试,并与激光烧蚀电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)所测的结果进行比较,对结果差异的潜在因素、个别元素含量异常偏大的原因进行了系统分析,着重论述VG9000辉光放电质谱仪的特点及痕量杂质分析优势。
- 荣百炼胡赞东丛树仁韩福忠姬荣斌
- 甚长波红外焦平面超大电荷容量数字读出电路技术
- 2025年
- 甚长波红外探测器在红外成像系统、光谱探测和深空探测等中有着重要应用。相比于中波和长波探测器,甚长波红外探测器的光电流和暗电流明显增加,探测器的偏置电压更加离散和敏感,本文采用数字积分技术和多电源域技术,解决了甚长波探测器的温度灵敏度受到积分时间限制和宽偏置电压范围要求等问题。采用0.13μm的CMOS工艺,设计并流片加工了面阵规格分别为320×256(像元中心间距为30μm)和640×512(像元中心间距为25μm)的两款数字读出电路,ADC位数为16bit,电荷容量达到11.8 Ge^(-),探测器偏置电压范围扩展到2.2 V,经测试,两款电路的功耗分别为53.1m W和149.6 m W(@100 Hz帧频)。耦合了320×256和640×512甚长波碲镉汞红外探测器,半阱条件下,NETD分别达到8.01 mK和9.29 mK,积分时间10 ms时,动态范围达到90 dB以上。本文的数字积分读出电路与传统模拟积分读出电路相比,显著地扩展了电荷容量,延长了甚长波探测器的积分时间,有效提升了温度灵敏度和动态范围。
- 毛文彪陈楠张济清钟昇佑姚立斌王向前丛树仁师奕峰李正芬
- 关键词：红外焦平面阵列
- 碲镉汞双层组分异质平面结红外探测器及制备方法
- 本发明公开了一种碲镉汞双层组分异质平面结探测器，包括层叠设置的衬底材料层、n型吸收层、表面n型宽禁带异质层、钝化层及接触电极层；表面n型宽禁带异质层是基于富汞垂直液相外延技术在n型吸收层表面制备的宽禁带异质层，剩余杂质为...
- 张阳孔金丞王文金黄钰李达邓文斌陈姗赵贵琴王雪松杨晋宋林伟覃钢丛树仁夏山茭
- 一种碲锌镉晶片面形控制方法
- 本发明公开了一种碲锌镉晶片面形控制方法，该方法首先需确定实际工艺条件下碲锌镉晶片损伤层厚度和面形随磨抛工艺过程中的普适变化情况；结合分析结果，在每次碲锌镉晶片表面处理前，通过化学腐蚀的方法去除碲锌镉晶片双面的损伤层；同时...
- 宋林伟宁卓徐浩刘燕丛树仁起文斌帅鹏彭凝杨晋张伟伟
- 液相外延碲镉汞薄膜缺陷综述被引量：1
- 2023年
- 液相外延是碲镉汞(MCT)薄膜生长领域最成熟的一种方法,被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备工艺的原因,液相外延生长过程中不可避免地会产生各种缺陷,从而降低红外探测器的性能。为了增加对液相外延MCT薄膜中缺陷的认识,并对具体的生长工艺提供指导性建议,基于已报道的文献总结了液相外延MCT薄膜中所存在一些缺陷的特征以及形成机理和消除方法。对各类缺陷的形成机理和消除方法进行探讨和评估,有助于提高MCT薄膜液相外延的水平,为制造高性能MCT探测器做好材料技术支撑。
- 起文斌丛树仁宋林伟李沛江先燕俞见云宁卓邓文斌孔金丞
- 关键词：碲镉汞材料液相外延
- 一种用于大尺寸长条状半导体样品的霍尔测试装置及方法
- 本发明公开了一种用于大尺寸长条状半导体样品的霍尔测试装置及方法，由电流加载选通装置、测试用电缆、固定支架、杜瓦、垂直升降装置及磁场加载装置组成。方法包括：1)由该垂直升降装置水平部分托起杜瓦部件，待测样品置于杜瓦内部，随...
- 丛树仁陈姗严顺英李俊宁卓芮红明李沛孔金丞李东升彭曼泽杨彦
- 文献传递
- 一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法
- 本发明公开了一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法，包括碲锌镉CdZnTe衬底和沉积于碲锌镉衬底上的碲镉汞Hg<Sub>1‑x</Sub>Cd<Sub>x</Sub>Te外延结构，从碲锌镉衬底开始依次为：重掺杂的宽...
- 俞见云孔金丞覃钢秦强宋林伟丛树仁何天应李艳辉赵俊赵鹏
- 基于非平衡模式的碲镉汞高工作温度探测器被引量：1
- 2023年
- 本文回顾了当前国内外高工作温度碲镉汞红外探测器的技术路线和相应的器件性能,在碲镉汞器件暗电流的温度特性分析的基础上,讨论了基于非平衡工作模式的碲镉汞探测器的基本原理、器件结构设计和暗电流机制,探讨了吸收层全耗尽碲镉汞器件性能与器件结构参数、材料晶体质量的关系,明确了其技术要点和难点,展望了碲镉汞高工作温度器件技术的发展趋势。
- 俞见云孔金丞覃钢杨晋宋林伟丛树仁李艳辉
- 关键词：碲镉汞全耗尽
