杨楠
- 作品数：14 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种3D集成芯片及其制备方法
- 本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线...
- 王磊杨彦锋徐达常青松祁广峰张延青要志宏白银超崔亮刘飞飞杨楠高显
- 文献传递
- 0.1~40 GHz GaAs MMIC超宽带行波放大器的研制
- 2020年
- 介绍了一款0.1~40 GHz频率范围内的GaAs微波单片集成电路(Microwave Monolithic Integrated Circuit)行波放大器(Distribute Amplifier)芯片。该芯片带有检波功能,电路设计采用九级cascode结构达到所需的输出功率和增益等。设计中,共栅管的栅极偏置线上加入多个旁路电容用来拓展低频带宽,漏极输出端并联一个接地的小电容用来提高高频的稳定性。采用ADS软件优化仿真全部电路,装配测试表明:在7 V工作电压下,放大器静态电流为200 mA,增益为19 dB,增益平坦度为±1 dB;在20 GHz处,1 dB增益压缩点输出功率24 dBm。此外,芯片尺寸为2.4×1.0 mm^2。
- 崔亮张忠山杨楠
- 关键词：CASCODE行波超宽带放大器
- 2 GHz~18 GHz宽带有源巴伦芯片设计
- 2022年
- 对宽带有源巴伦电路结构进行了研究,基于0.13μm GaAs pHEMT工艺,采用电磁仿真软件设计一款2 GHz~18 GHz单片集成宽带有源巴伦芯片。经过流片加工及装配测试,有源巴伦芯片在2 GHz~18 GHz工作频段范围,输入到两输出端小信号增益分别为3.0 dB~3.5 dB、3.5 dB~4.7 dB,两输出端口幅度差≤1.2 dB,相位差180±5°以内,输出P1 dB功率值大于4 dBm,直流功耗约5 V/50 mA。芯片尺寸为1.4 mm×1.9 mm×0.07 mm。实测与仿真结果具有一定的一致性。
- 杨楠杨旭达
- 关键词：单片集成相位差
- 单电压控制电调衰减电路和稳幅装置
- 本发明属于低中频接收系统技术领域，涉及一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置。所述电路包括：控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块；控制模块将外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块和第三衰减模块，且根据...
- 孔伟东常萌王二超王元佳祁兴群杨楠高显徐亮薛炜民解永康董维佳白晓丽
- 文献传递
- 一种3D集成芯片及其制备方法
- 本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线...
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- 文献传递
- 一种射频前端芯片结构
- 本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电...
- 杨琦刘帅白银超要志宏王磊李丰王凯崔亮郭丰强王海龙杨楠陈南庭杜晨浩刘星
- 文献传递
- 自偏置结构、可变电流放大器及电子装置
- 本发明提供一种自偏置结构、可变电流放大器及电子装置，其中，自偏置结构包括旁路电容、插入源电阻、多个焊盘和多个片外电阻器；旁路电容的一端与接地孔连接，另一端用于与晶体管的源极连接；插入源电阻的一端与接地孔连接；多个焊盘至少...
- 任健崔亮王磊杨琦戴剑陈南庭宋学峰郝俊祥王海龙刘飞飞杨楠冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达曾雁声吴浩洋王学孟赵广营
- 宽带模拟预失真线性化器
- 本发明提供一种宽带模拟预失真线性化器。该宽带模拟预失真线性化器包括：输入90°耦合器、线性支路、非线性支路、输出90°耦合器以及支路控制模块；输入90°耦合器的第一端作为宽带模拟预失真线性化器的信号输入端，直通端连接线性...
- 崔亮王磊曾雁声杨琦戴剑陈南庭宋学峰郝俊祥王海龙兰斌杨楠任健冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达吴浩洋
- 2～20GHz宽带单片集成双向放大器被引量：2
- 2016年
- 基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两个独立放大器与开关控制电路集成,通过开关控制放大器的正反向导通,实现双向放大器接收和发射状态的切换。其中放大器采用的是宽带分布式低噪声放大器,开关控制电路的控制电平为0V和-5V。测试结果表明,该款放大器在＋5V工作电压下,工作电流为60mA,在2~20GHz的宽带频率内实现小信号增益大于14dB,1dB压缩点输出功率大于11dBm,噪声系数小于5.5dB。双向放大器的芯片尺寸为3.1mm×2.1mm。
- 李新霞杨楠王磊
- 关键词：双向放大器宽带分布式放大器单片集成
- 双频低噪声放大电路
- 本发明提供一种双频低噪声放大电路。该双频低噪声放大电路包括：第一放大支路以及第二放大支路；第一放大支路与第二放大支路并联连接；第一放大支路的输入端与第二放大支路的输入端作为双频低噪声放大电路的输入端；第一放大支路的输出端...
- 刘飞飞任健郝俊祥戴剑崔亮王磊宋学峰杨琦陈南庭王海龙杨楠曾雁声冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达吴浩洋
