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戴剑

作品数：32 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 11篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇电路
  • 8篇放大器
  • 6篇射频
  • 6篇芯片
  • 6篇宽带
  • 5篇氮化镓
  • 5篇信号
  • 4篇低噪
  • 4篇低噪声
  • 4篇移相器
  • 4篇集成电路
  • 4篇超宽带
  • 3篇单片
  • 3篇低噪声放大器
  • 3篇输出端
  • 3篇晶体管
  • 3篇开关
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇MMIC

机构

  • 32篇中国电子科技...

作者

  • 32篇戴剑
  • 17篇王磊
  • 14篇宋学峰
  • 8篇高显
  • 8篇杨琦
  • 7篇王凯
  • 6篇刘飞飞
  • 6篇刘帅
  • 5篇赵瑞华
  • 4篇杨楠
  • 3篇周彪
  • 3篇徐达
  • 3篇卜爱民
  • 3篇要志宏
  • 2篇白银超
  • 2篇崔玉兴
  • 2篇吕元杰
  • 2篇潘海波
  • 2篇冯志红
  • 2篇韩玉鹏

传媒

  • 4篇通讯世界
  • 3篇通信电源技术
  • 2篇半导体技术
  • 2篇现代信息科技

年份

  • 6篇2025
  • 2篇2024
  • 17篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2014
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件
本发明提供了一种金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件，包括绝缘布线层、多个芯片、金属化层，以及RDL层；多个芯片分别正面贴装于绝缘布线层且相互间隔分布；金属化层连续设置于各个芯片的背面和周壁，金属化层位于任意相邻...
祁广峰徐达王磊王真袁彪杨晓楠宋学峰史光华周彪唐晓赫李仕俊杨彦锋乔家辉戴剑崔亮陈南庭
氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件
本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第...
吕元杰王元刚周国刘方罡戴剑周幸叶王磊宋学峰崔玉兴卜爱民冯志红
基于GaAs工艺的宽带幅相多功能芯片设计
2025年
基于0.15μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺,设计了一款工作频率为8 GHz~18 GHz的四通道宽带幅相多功能芯片。该芯片尺寸为6.7 mm×6.6 mm,芯片内部集成6位数控衰减器、6位数控移相器、功分器、放大器及开关等器件,实现了小型化、超宽带、高精度的优异性能。测试结果表明,在工作频带内,接收增益为1~2 dB,发射增益为7 dB,64态移相精度均方根(root mean square,RMS)小于3°,64态衰减精度RMS小于0.5 dB,适用于多通道组件。
范仁钰戴剑郝俊祥刘乐乐
关键词：超宽带移相器
交叉腔体结构及其制造方法、微波电路、电子设备
本发明提供一种交叉腔体结构及其制造方法、微波电路、电子设备。该结构包括：第一腔体、第二腔体以及盖板，第一腔体与第二腔体相互交叉，第二腔体的腔体壁上设有第一凹槽，盖板上设有隔梁，隔梁上连接有隔板，隔板插入第一凹槽中。本发明...
康晓晨周彪孔令甲许向前 高立坤 李玺 钟春斌 齐亚斌 邢星 尉国生戴剑 王鑫徐达 崔亮王凯
基于Ka波段六位移相器设计
2025年
为解决Ka波段移相器设计困难和受工艺波动影响较大的问题,以32 GHz~38 GHz六位移相器设计为例,对电路结构进行研究,提出了一款改良后的六位级联移相器,以期为恶劣环境下毫米波移相器的工程化应用和小型化设计提供参考。
刘乐乐戴剑陈南庭范仁钰
关键词：KA波段移相器小型化
单刀双掷微波开关
本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单刀双掷微波开关。该单刀双掷微波开关包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口；第一晶体管的第一端连接输入端口...
戴剑王磊李士卿崔亮陈南庭宋学峰侯伦刘方罡刘海峰郭丰强武世英申靖轩范仁钰傅琦刘乐乐高显苏辰飞梁家铖
一种T/R电路及其信号传输方法
本申请适用于集成电路放大器技术领域，提供了一种T/R电路及其信号传输方法。该电路包括：信号接收端与第一选通开关的第一不动端相连；第一选通开关的第二不动端与第三选通开关的第一不动端相连；第一选通开关的动端与放大器的输入端相...
戴剑王磊王杰刘方罡崔亮陈南庭宋学峰高鸿飞范仁钰傅琦申靖轩梁家铖郭丰强刘乐乐刘海峰高显
微波功率开关电路、装置及控制方法
本发明提供一种微波功率开关电路、装置及控制方法。该电路包括射频输入端口、第一匹配元件、第二匹配元件、至少一个射频输出端口和至少一个开关模块；开关模块和射频输出端口一一对应；开关模块包括第一开关支路；第一开关支路包括第一开...
郝俊祥刘飞飞卜爱民王磊陈南庭刘帅戴剑王凯冯涛郭丰强韩玉鹏傅琦宋作奇苏晓晨
W波段混频器
本申请适用于混频器技术领域，提供了一种W波段混频器。该W波段混频器包括：第一电桥、第二电桥、第三电桥、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一电桥的输入端作为混频器的本振端用于接收本振信号；第一电桥的直通端连接第一场效应...
梁家铖戴剑王磊侯伦崔亮陈南庭苏辰飞傅琦高显范仁钰刘方罡郭丰强刘乐乐
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：3
2023年
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增加接地电容,提高了放大器的高频输出阻抗,进而拓宽了带宽,提高了高频增益,并降低了噪声。在片测试结果表明,在5 V单电源电压下,在2~18 GHz内该低噪声放大器小信号增益约为26.5 dB,增益平坦度小于±1 dB,1 dB压缩点输出功率大于13.5 dBm,噪声系数小于1.5 dB,输入、输出回波损耗均小于-10 dB,工作电流为100 mA,芯片面积为2 mm×1 mm。该超宽带低噪声放大器可应用于雷达接收机系统中,有利于接收机带宽、噪声系数和体积等的优化。
李士卿何庆国戴剑
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