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苏志恒

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 19篇导电类型
  • 19篇半导体
  • 8篇金属化
  • 7篇导通
  • 7篇掺杂
  • 6篇漂移区
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 6篇半导体器件
  • 6篇VDMOS器...
  • 4篇单粒子
  • 4篇单粒子效应
  • 4篇电流
  • 4篇栅控
  • 4篇芯片
  • 4篇功率器件
  • 3篇电压
  • 3篇整流
  • 3篇输入端
  • 3篇终端结构

机构

  • 34篇电子科技大学

作者

  • 34篇苏志恒
  • 32篇李泽宏
  • 23篇张波
  • 23篇任敏
  • 8篇张金平
  • 8篇高巍
  • 8篇谢驰
  • 8篇何文静
  • 7篇汪榕
  • 5篇张明
  • 4篇刘玮琪
  • 2篇赵念
  • 2篇刘玮琦
  • 1篇罗蕾

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 13篇2017
  • 5篇2016
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构及其制造方法
本发明提供一种功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构及其制造方法，包括金属化阴极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型轻掺杂漂移区、场氧化层、第二导电类型半导体主结、第一导电类型重掺杂截止环；位于所述第二导电类...
任敏谢驰苏志恒林育赐李泽宏张波
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一种恒定功耗的线性恒流电源
本发明属于电子电路技术领域，特别涉及一种恒定功耗的线性恒流电源。本发明的电路包括电压采样模块、补偿电流产生模块和恒流模块；其中电压采样模块采样功率管漏端电压，输出与输入成比例的电压V1并产生开关控制信号S1。V1经过除法...
李泽宏汪榕罗仕麟赵念黄孟意李沂蒙苏志恒刘玮琪
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一种功率半导体器件终端结构及其制备方法
本发明提供一种功率半导体器件的终端结构及其制备方法，包括：阴极金属电极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型半导体轻掺杂漂移区、场氧化层、第二导电类型半导体主结区、第一导电类型半导体重掺杂截止环；第一导电类型半导体...
任敏罗蕾李佳驹苏志恒李泽宏张波
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一种改善关断特性的栅控晶闸管器件
本发明提供一种改善关断特性的栅控晶闸管器件，从下到上依次层叠金属化阳极、第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体外延层、金属化阴极；还包括第一导电类型半导体阱区、第二导电类型半导体阱区、重掺杂第一导电类型半导体区、栅极...
任敏林育赐苏志恒谢驰李泽宏张波
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一种用于电机发电的整流电路
本发明属于电子电路技术，具体的说是涉及一种用于电机发电的整流电路。本发明主要通过电荷泵的方式实现自驱动；其中包括比较器、VDMOS、驱动模块、检测模块、LDMOS、电阻R1、电容C1、逻辑模块、振荡器模块、电荷泵模块、负...
李泽宏万佳利张明汪榕黄孟意苏志恒
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车用同步整流模组的设计与实现
同步整流技术在很早的时候就被提出,并且用于交流变直流的稳压电路中。从2000年汽车电子的快速发展,传统的二极管整流电路已经无法满足车用电路的高要求。因此车用同步整流电路就发挥了它的优势,成为了新一代汽车的整流电路的中坚力...
苏志恒
关键词：汽车电子同步整流
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一种提高抗浪涌能力的栅控晶闸管器件
本发明提供一种提高抗浪涌能力的栅控晶闸管器件，包括第一导电类型半导体衬底和第二导电类型半导体外延层，第二导电类型半导体外延层的顶层两端分别具有第一导电类型半导体阱区；第一导电类型半导体阱区内具有第二导电类型半导体阱区；第...
任敏林育赐何文静苏志恒李泽宏张波
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一种逆阻型VDMOS器件
本发明提供一种逆阻型VDMOS器件，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N型漂移区、金属化源极；N型漂移区的下表面具有N型正向场阻止层，N型漂移区的上表面具有N型反向场阻止层、P型体区、沟槽，沟槽从金属化源极的下表面垂...
任敏苏志恒杨梦琦李泽宏高巍张金平张波
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一种超结功率器件
本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种超结功率器件。本发明提供的一种超结功率器件，其漂移区中的所述第二导电类型半导体柱4有第一导电类型半导体柱5有两种或两种以上的不同浓度，且相邻的第二导电类型半导体柱4和第一导...
任敏苏志恒李佳驹李泽宏张波
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一种多积累层的金属氧化物半导体二极管
本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种具有多积累层的金属氧化物半导体二极管。本发明通过使器件正向导通时在漂移区形成多个多子积累层，从而有效降低了器件的正向导通压降；反向阻断时通过在器件漂移区引入横向电场，提高了器件的反...
任敏林育赐谢驰苏志恒李泽宏张金平高巍张波
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