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何文静

作品数：32 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：医药卫生电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 17篇半导体
  • 15篇导电类型
  • 11篇金属化
  • 7篇终端结构
  • 7篇掺杂
  • 6篇导通
  • 6篇漂移区
  • 6篇重掺杂
  • 6篇功率器件
  • 5篇导通电阻
  • 5篇电阻
  • 5篇终端区
  • 4篇元胞
  • 4篇栅电极
  • 4篇栅控
  • 4篇损耗
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘介质
  • 4篇开关损耗
  • 4篇VDMOS器...

机构

  • 32篇电子科技大学

作者

  • 32篇何文静
  • 30篇张波
  • 30篇李泽宏
  • 30篇任敏
  • 20篇张金平
  • 20篇高巍
  • 8篇苏志恒
  • 2篇罗蕾
  • 2篇谢驰
  • 1篇刘屹
  • 1篇谢兰
  • 1篇苏丹
  • 1篇伏晓月

传媒

  • 1篇成都医学院学...

年份

  • 2篇2021
  • 8篇2020
  • 7篇2019
  • 10篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种屏蔽栅DMOS器件
一种屏蔽栅DMOS器件，属于功率半导体技术领域，本发明在控制栅电极和屏蔽栅电极之间设置一个额外的浮空栅电极，各电极之间由介质层相互隔离，由于引进了位置可调的浮空栅电极，器件的栅源电容得以减小，且栅源电容与栅漏电容的比值可...
高巍何文静任敏 蔡少峰李泽宏张金平张波
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一种具有复合埋层结构的BCD器件
本发明提供一种具有复合埋层结构的BCD器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明BCD工艺用埋层结构采用了“顶部重掺杂埋层/中间轻掺杂埋层/底部重掺杂埋层”三层复合结构，然后在其上的外延层内部集成相互隔离的BJT区、CMO...
任敏 宋炳炎何文静李泽宏高巍张金平张波
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一种超结功率器件终端结构及其制备方法
一种超结功率器件终端结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在超结终端结构的外延层表面设置与外延层掺杂类型相反且直接与主结区相连的表面掺杂区，借此将主结边缘处的表面电场峰值引入终端结构体内，使得终端结构表...
任敏何文静宋炳炎李泽宏高巍张金平张波
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一种栅控晶闸管器件
本发明提供了一种栅控晶闸管器件，属于功率器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底，第二导电类型半导体掺杂外延层，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的上表面设置有金属阴极和绝缘栅，所...
任敏林育赐何文静苏志恒李泽宏张波
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一种体区变掺杂的槽栅DMOS器件
本发明提供一种体区变掺杂的槽栅DMOS器件，在传统槽栅DMOS器件结构基础上，本发明具有变掺杂浓度的P型体区，保持N型源区下方的P型体区的掺杂浓度不变，提高P型接触区下方的P型体区的掺杂浓度，较高浓度的P型体区与N‑漂移...
高巍杨梦琦何文静任敏李泽宏蔡少峰张金平张波
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一种超结器件终端结构
本发明提供一种超结器件终端结构，从器件边缘向器件有源区方向依次具有终端区和过渡区，终端区和过渡区共用第一导电类型半导体衬底以及第一导电类型外延层；终端区包括：终端区第二导电类型柱区、截止环；过渡区包括过渡区第二导电类型柱...
任敏何文静宋炳炎李泽宏高巍张金平张波
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一种防止关断失效的栅控晶闸管器件
本发明提供一种防止关断失效的栅控晶闸管器件，从下到上依次层叠金属化阳极、第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体外延层、金属化阴极；还包括第一导电类型半导体阱区、第二导电类型半导体阱区、重掺杂第一导电类型半导体区、栅极...
任敏林育赐何文静谢驰李泽宏张波
一种集成肖特基二极管的LDMOS器件
本发明提供一种集成肖特基二极管的LDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体埋层、第二导电类型半导体漂移区、第一导电类型半导体重掺杂区、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体缓冲层、栅氧化层、多晶硅...
李泽宏何文静罗蕾任敏高巍张金平张波
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一种屏蔽栅功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，本发明针对常规的屏蔽栅功率器件的元胞密度和电流能力受到限制的问题，提供了一种屏蔽栅功率器件，通过在常规的屏蔽栅元胞结构之间设置一个或多个TMOS元胞结构，在相同的芯片面积下提高沟道密度，使该...
高巍何文静任敏蔡少峰李泽宏张金平张波
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一种沟槽型超结功率终端结构及其制备方法
一种沟槽型超结功率器件终端结构及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在终端区域设置绝缘介质沟槽以及在绝缘介质沟槽外围的外延层中设置与外延层掺杂类型相反的掺杂柱区，并使得绝缘介质沟槽区与主结区接触面的底端以及绝缘...
任敏何文静宋炳炎李泽宏高巍张金平张波
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