孙建洁
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种体硅湿法腐蚀高精度控制方法
- 本发明公开一种体硅湿法腐蚀高精度控制方法，包括：制作腐蚀停止参考结构和高精度腐蚀过程控制；制作腐蚀停止参考结构的流程包括：准备衬底片、进行深槽刻蚀、深槽填充和平坦化，最终形成嵌入衬底片表面的腐蚀停止参考结构；高精度腐蚀过...
- 马博吴建伟王涛张世权孙建洁陈培仓杨杰朱赛宁
- SOI材料片缺陷研究被引量：1
- 2012年
- SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进行详细的介绍,并对其在半导体工艺中产生的影响做了深入的阐述。结合目前实际工艺生产线的情况,将SOI材料片的检测分为两大类:可直接测试的表面及内部缺陷;间接的材料性能特征检测。同时提供了大量SOI材料片可行的测试原理,为工艺线SOI材料片缺陷检验提供了有效的方法。
- 孙建洁吴建伟陈海峰
- 关键词：绝缘体上硅SIMOX
- 一种用于亚微米多晶栅TiSi电阻优化的方法
- 2014年
- 在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVD SiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40 nm左右基本可以阻挡95%的N+S/D As注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。
- 王敏妲孙建洁陈海峰
- 关键词：硅化钛掩蔽层
- PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究被引量：5
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响,发现当硅烷氨气流量比增加时,薄膜厚度和折射率均随之增加,并发现退火工艺可以有效降低氮化硅薄膜的氢氟酸腐蚀速率。
- 汪文君孙建洁朱赛宁张世权
- 关键词：氮化硅薄膜退火
