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集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义...; 林殷茵刘易; 文献传递

一种氧化钨基电阻型存储器的制备方法: 本发明属于电阻型存储器技术领域，涉及一种与标准逻辑工艺兼容的氧化钨基电阻型存储器的制备方法，其包括步骤：构图刻蚀所述上电极材料层以在存储阵列部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质层之上形成上电极；其中，设置所述上电极材料层...; 林殷茵刘易; 文献传递

电阻型存储器的制造方法及电阻型存储器: 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；...; 林殷茵宋雅丽杨玲明刘易; 文献传递

双层结构电阻型存储器及其制备方法: 本发明属于存储器技术领域，涉及集成于集成电路的后端结构的双层结构电阻型存储器及其制备方法。该双层结构电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水...; 林殷茵刘易; 文献传递

一种电阻型存储器及其制备方法: 本发明属存储器技术领域，提供了一种电阻型存储器及其制备方法，该电阻型存储器包括下电极、上电极以及置于上、下电极间的存储介质层，该存储介质层包括基于第二金属材料的金属氧化物层和基于第一金属材料的金属氮氧化物层，基于第一金属...; 林殷茵刘易宋雅丽; 文献传递

基于标准逻辑工艺的阻变存储器性能及存储结构研究: 以Flash为代表的传统非挥发存储器已经取得了巨大的成功，但是随着工艺尺寸的不断减小，Flash即将到达它的物理极限。为替代Flash引领新一代的非挥发存储器，近些年新型非挥发存储器得到了广泛研究。阻变存储器（RRAM）...; 刘易; 文献传递

集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义...; 林殷茵刘易杨玲明; 文献传递

AlO_x/WO_y阻变存储结构的转换特性和机理研究: 2014年; 通过构造AlO_x/WO_y双层结构实现了阻变存储器的均匀性、低功耗等特性,该器件阻变层中的AlO_x为氧空位渐变的梯度膜,从而使得形成的导电细丝更加稳定,在反复擦写过程中导电细丝断开和接上的位置基本不变,对应器件电学性能参数分布集中.采用阶梯脉冲信号结合Verify算法的方法对基于0.18μm CMOS工艺的Al/AlO_x/WO_y/W结构的阻变存储单元进行转换特性、可靠性的测试,统计结果表明:器件电学性能参数R_(on)、R_(off)和_(sct)等具有良好的均匀性,且无需高电压的初始置位过程;复位过程中复位电流小于15μA,远远小于单层器件Reset电流,很好地满足了存储器件的低功耗要求;在小电压长时间作用下,高低阻态仍保持不变,能有效地防止误擦写操作;通过高温烘烤测试,验证了器件的数据保持能力.同时,分析了WO_y薄膜在器件高低阻态转换过程中作为串联电阻降低复位电流的作用.; 刘易宋雅丽王艳良林殷茵

基于阻变栅介质的嵌入式存储器的制备方法: 本发明属嵌入式存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的嵌入式存储器的制备方法。该方法中，包括步骤：完成伪栅制备后构图形成选通管以及编程管的源极和漏极；通过自对准工艺形成金属硅化物接触，并去除伪栅和牺牲层；构图淀积形成编程...; 林殷茵刘易; 文献传递

集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法: 本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义...; 林殷茵刘易杨玲明; 文献传递

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