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杨玲明

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇存储器
  • 5篇介质层
  • 4篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇退火
  • 2篇退火处理
  • 2篇集成电路
  • 2篇沟槽
  • 2篇成功率
  • 2篇垂直电极
  • 1篇导电
  • 1篇电压
  • 1篇掩膜
  • 1篇一致性
  • 1篇双极性
  • 1篇热学
  • 1篇微缩
  • 1篇温度特性
  • 1篇金属
  • 1篇均匀性

机构

  • 7篇复旦大学

作者

  • 7篇杨玲明
  • 6篇林殷茵
  • 4篇刘易
  • 2篇宋雅丽
  • 1篇王明
  • 1篇王艳良
  • 1篇胡倍源
  • 1篇罗文进

传媒

  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法
本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义...
林殷茵刘易杨玲明
文献传递
电阻型存储器的制造方法及电阻型存储器
本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；...
林殷茵宋雅丽杨玲明刘易
文献传递
高一致性的电阻型存储器及其制备方法
本发明属于存储器技术领域，具体为一种高一致性的电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第...
林殷茵王明杨玲明王艳良
文献传递
一种Cu_xSi_yO阻变存储器的温度特性与微观机制分析被引量：1
2012年
应用有效控制温度偏置的方法对基于0.13μm CMOS工艺的Ta/TaN/CuxSiyO/Cu结构的1Mbit阻变存储芯片进行开关性能和高低阻态导电性能的测试,介于-40～125℃温度区间的统计结果表明:set成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而升高,reset成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而降低;高阻态和低阻态随不同偏置温度呈现相似变化趋势——在-40～25℃间阻值均随偏置温度升高而升高,在25～125℃间均随偏置温度升高而呈下降趋势.针对以上现象提出了电学与热学结合的基于filament的微观模型,由铜空位构成的filament局部的反复形成与断裂对应于阻变存储器从高阻态到低阻态的重复转换,分析了电学和热学各自在CuxSiyO系列的阻变存储器开关和导电微观机制中所起作用.
罗文进胡倍源杨玲明林殷茵
关键词：导电热学
CuxSiyO阻变存储器尺寸微缩、均匀性和操作极性的研究
随着器件尺寸不断地缩小，传统的Flash存储技术即将到达它的物理极限。阻变存储器因其结构简单、可微缩化、读写速度快、功耗低、与CMOS工艺兼容性好、成本低等优点，被认为是最有可能替代Flash的新型存储技术之一。本文基于...
杨玲明
关键词：均匀性
集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法
本发明提供集成于集成电路的后端结构的电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器集成在后端结构中，对用于形成垂直电极的通孔，通孔周围的介质层被部分地水平横向刻蚀以形成一个或多个水平沟槽，水平沟槽被用来定义...
林殷茵刘易杨玲明
文献传递
电阻型存储器的制造方法及电阻型存储器
本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；...
林殷茵宋雅丽杨玲明刘易
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