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邓凤祥

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 2篇带隙
  • 2篇氮化镓
  • 2篇导体
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学沉积
  • 2篇电化学沉积法
  • 2篇电极
  • 2篇电子器件
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔结构
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌结构
  • 2篇有机半导体
  • 2篇有机半导体材...
  • 2篇有机层
  • 2篇探测器
  • 2篇团聚
  • 2篇团聚现象
  • 2篇紫外光探测器
  • 2篇孔结构

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇潘革波
  • 6篇邓凤祥
  • 6篇赵宇
  • 4篇胡立峰
  • 2篇肖燕
  • 2篇胡立锋

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
III–V族纳米结构及其制作方法
本申请公开了一种III‑V族纳米结构，包括III‑V族基底以及形成于所述III‑V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III‑V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III‑V族三维...
潘革波邓凤祥胡立峰赵宇
文献传递
表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法
本发明提供的一种高响应度的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法，制备包括具有多孔沟壑表面的Ⅲ-Ⅴ半导体基底和分布在所述基底上的Au纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底，包括步骤：对基底表面进行刻蚀处理，形成粗糙的表面；通过...
潘革波邓凤祥赵宇胡立锋
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一种有机/GaN异质p-n结紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种有机/氮化镓异质p-n结紫外光探测器及其制备方法。该探测器包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p-n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极；其制备方...
潘革波胡立峰邓凤祥赵宇肖燕
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表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法
本发明提供的一种高响应度的表面增强拉曼散射活性基底及其制备方法，制备包括具有多孔沟壑表面的Ⅲ‑Ⅴ半导体基底和分布在所述基底上的Au纳米颗粒的表面增强拉曼散射活性基底，包括步骤：对基底表面进行刻蚀处理，形成粗糙的表面；通过...
潘革波邓凤祥赵宇胡立锋
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一种有机/GaN异质p‑n结紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种有机/氮化镓异质p‑n结紫外光探测器及其制备方法。该探测器包括主要由沿设定方向层叠设置的GaN层和有机层形成的有机/GaN异质p‑n结，其中，所述GaN层和有机层上还分别连接有第一电极和第二电极；其制备方...
潘革波胡立峰邓凤祥赵宇肖燕
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III–V族纳米结构及其制作方法
本申请公开了一种III-V族纳米结构，包括III-V族基底以及形成于所述III-V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III-V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III-V族三维...
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