李普生
- 作品数：8 被引量：27H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 150mm掺P硅衬底外延层的制备及性能表征被引量：8
- 2017年
- 为适应肖特基二极管降低正向导通电压和制造成本的需要,采用150mm的掺P硅抛光片为衬底,通过化学气相沉积制备高阻硅外延层。利用傅里叶变换红外线光谱、电容-电压测试等方法对外延电学参数进行了测试和分析。对平板式外延炉的流场、热场与硅外延层厚度、电阻率均匀性的关系进行了研究。在此基础上采用周期变化的气流在外延层生长前反复吹扫腔体,进一步降低了非主动掺杂的不良影响,结合优化的流场和热场条件,最终制备出表面质量优、均匀性好的外延层,满足了厚度和电阻率不均匀性都小于1.0%的目标需求。采用该外延材料制备的肖特基二极管的正向导通电压降低了17.1%,显著减小了功耗,具备了良好的应用前景。
- 李明达李普生
- 关键词：硅外延层肖特基二极管
- 双极IC用双埋层图形衬底制备N/P异型硅外延结构
- 2018年
- 利用PE2061s型常压桶式多片外延炉,在P型双埋层图形硅衬底上沉积生长高均匀性低缺陷的N型外延层。通过研发衬底背面杂质掩蔽、附面层虹吸效应、高补偿缓冲层生长等技术,使外延层图形漂移率、图形畸变率、均匀性以及表面质量等关键指标明显改善,最终制备出图形漂移率72%,图形标记长宽比保持为1∶1,电阻率的片内不均匀性<1.5%,片间不均匀性<2%,表面无亮点、凹坑和雾迹等缺陷的埋层硅外延片。采用该外延片制备的双极IC芯片经测试满足各项电参数指标要求,表明常规埋层关键工艺取得了关键突破,可以满足工程化批产要求。
- 李明达李普生
- 关键词：缓冲层
- 平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控被引量：9
- 2017年
- 硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层,结合傅里叶变换红外线光谱分析(FT-IR)、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平板式外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性的相互作用规律进行了研究,最终制备出表面质量良好、片内和片间不均匀性小于1%的外延层。
- 李明达陈涛李普生薛兵
- 关键词：硅外延层化学气相沉积均匀性
- 快速恢复外延二极管用150mm高均匀性硅外延材料的制备被引量：9
- 2017年
- 利用PE3061D型平板式外延炉,在150mm的重掺As的硅单晶衬底上采用化学气相沉积(CVD)方法制备参数可控且高均匀性的外延层,通过聚光灯、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、微粗糙度、厚度、电阻率以及均匀性参数。采用了基座浅层包硅技术、周期性滞留层杂质稀释技术、高温快速二次本征生长技术、温场流场调控技术等新型工艺技术,使外延层厚度满足(15±2%)μm,电阻率满足(15±2%)Ω·cm的设计要求,片内厚度和电阻率不均匀性达到<2%的水平。制备的硅外延材料应用于FRED的试产,击穿电压高于125V,晶圆的成品率达到90%以上,满足了120VFRED器件使用要求,实现了自主可控。
- 李明达李普生
- 关键词：硅外延材料均匀性化学气相沉积
- 具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究被引量：3
- 2016年
- 对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P^-/P^+/P/P^+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性<3%、电阻率不均匀性<3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。
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- 关键词：雪崩光电二极管外延片过渡区均匀性
- 对影响外延片表面质量的若干问题的研究被引量：5
- 2016年
- 外延片作为制造多种分立器件的必须材料,其地位已愈发重要。外延片的表面质量对外延片整体质量有很大影响。本文对在外延片生产中,影响外延片表面,引起外延生产大部分不合格率的颗粒、暗点、滑移线等主要问题进行了研究,总结了批量生产中针对此类问题采取的预防改进措施。关注产品表面质量,减少或根除这些因素对外延片表面的影响,将对保证产品质量、提升产品合格率起到积极作用。
- 李普生
- 关键词：滑移线
- 硅外延生长高频感应系统的热场仿真被引量：3
- 2017年
- 应用多物理场分析工具COMSOL Multiphysics软件中的磁场和固体传热两种模块,建立了平板式外延炉反应腔体的有限元模型。结合高频感应加热的机理,分析了电磁场与热场耦合作用,重点研究了感应加热系统中线圈结构、电流密度和频率对热场分布的影响。模拟结果表明,高频感应系统呈现出明显的趋肤效应,感应电流主要集中在基座下表层,焦耳效应主要发生在涡流区,基座上部的热量来源于热传导。实验中,通过调节感应线圈横向和纵向的位置,改变了磁通密度的分布,从而决定了腔体内的热场分布。根据模拟仿真结构,对外延工艺的温度分布进行优化,实现了热场的径向温度梯度变化小于10℃,在此条件下,硅外延片电阻率的标准偏差为0.56%。
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- 关键词：硅外延高频感应涡流热传导
- 低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺被引量：3
- 2018年
- 200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性<1. 0%,电阻率不均匀性<1. 1%,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。
- 李明达李普生薛兵
- 关键词：硅外延层晶体缺陷肖特基器件
