陈涛
- 作品数：15 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响
- 2014年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在6英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长厚度11μm、电阻率1.6Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为100V肖特基二极管的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR、CV等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过对比不同过渡区结构对肖特基器件I-V特性的影响,总结出外延过渡区与肖特基二极管I-V特性的对应关系,作为材料制备的理论支撑。
- 陈涛王文林薛兵
- 关键词：硅外延片肖特基二极管过渡区I-V特性
- 高阻外延层电阻率均匀性控制技术分析被引量：1
- 2012年
- 随着高频大功率器件的广泛应用,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是外延层电阻率。为了提高器件的工作频率与工作电压,要求外延层电阻率要高,电阻率均匀性要好。而高阻外延层的电阻率由于受到自掺杂与系统杂质的影响,很难获得好的电阻率均匀性。通过对外延生长过程中杂质的引入,以及不同杂质的来源及特点进行深入分析,针对不同杂质来源的控制提出有效的解决方法,保障了生长出电阻率均匀性好的高阻外延层。
- 殷海丰傅颖洁陈涛
- 关键词：材料加工工程外延层自掺杂电阻率
- 硅外延片批产测试抽样方式研究
- 2016年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,生长N/N+型硅外延片[1];试验中分别采用电容-电压方法,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量[2];利用FTIR红外测试仪,通过检测红外干涉图谱测量外延片薄膜厚度[3]。试验中通过多点测试以及正态分布统计的方法,获得了能够准确表征硅外延片批产数据的测试模式[4]。
- 陈涛李明达李杨高航薛兵
- 关键词：硅外延片
- 平板式外延炉大尺寸硅外延层的均匀性调控被引量：9
- 2017年
- 硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层,结合傅里叶变换红外线光谱分析(FT-IR)、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平板式外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性的相互作用规律进行了研究,最终制备出表面质量良好、片内和片间不均匀性小于1%的外延层。
- 李明达陈涛李普生薛兵
- 关键词：硅外延层化学气相沉积均匀性
- 120 V超快软恢复二极管用大尺寸硅外延材料工艺研究被引量：3
- 2017年
- 硅外延材料具有厚度和电阻率能精确调控、结晶完整性良好的优势,能够有效降低功耗,改善击穿电压,广泛应用于半导体分立器件。外延层厚度、电阻率、均匀性、晶格质量等参数指标直接决定了所制分立器件的良率和性能。通过研究平板式外延炉的热场和流场分布对材料均匀性的调制规律,在150 mm的大尺寸硅单晶衬底上化学气相沉积了高均匀性的硅外延材料。利用原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延材料的表面形貌、平整度、微粗糙度、厚度、电阻率、均匀性等参数。最终制备的外延材料的厚度和电阻率片内标准偏差均小于2%,而且表面无雾、滑移线等缺陷。制备的高均匀性的外延材料在应用于耐压为120 V的超快软恢复二极管后,解决了边缘电压低击穿现象,显著提升了器件的产出良率。
- 李明达陈涛薛兵
- 关键词：硅外延材料均匀性化学气相沉积
- 基于层流模型的CVD外延流场仿真被引量：2
- 2017年
- 在化学气相沉积(CVD)过程中运用COMSOL Multiphysics建立硅外延生长的层流模型,研究了不同气流设置条件下反应腔体内的气流状态和流速分布。通过优化流场设置,获得了稳定且均匀的气流分布,同时,分析了气流分布对硅外延片生长速率和厚度均匀性的影响。利用LPE-3061D平板式外延炉进行了工艺验证,在重掺Sb衬底上进行硅外延沉积,在优化流场下制备出的硅外延片厚度标准偏差达到0.38%。
- 陈涛李明达李杨
- 关键词：硅外延片流场层流均匀性
- N型高阻外延材料制备
- 2015年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用桶式外延炉,在4英寸<100>晶向,2×10-2Ω·cm重掺Sb衬底上,生长厚度50μm、电阻率>1000Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为高灵敏度光电探测器的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过纯化原料、增强吹扫、洁净腔体等手段提高了材料的电阻率,优化了过渡区形貌,从而改善了器件的反向漏电特性。
- 王文林陈涛李明达
- 关键词：硅外延片光电探测器电阻率过渡区漏电流
- 15.24 cm外延材料厚度均匀性控制研究被引量：5
- 2017年
- 利用LPE-3061D平板式外延炉制备硅外延片,实验研究了流场分布对外延生长速率、厚度及其均匀性的影响,在外延制备过程中通过运用流场和热场控制、基座浅层包硅、变流量吹扫、快速本征生长、二次外延等工艺手段并且加以有机组合,提高了外延层参数的一致性。
- 王亚倞陈涛
- 关键词：硅外延片流场均匀性
- CV法测试电阻率的稳定性研究被引量：1
- 2017年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15?的氧化层,并对比分析了氧化温度、氧化反应时间、H2O2浓度对电阻率测试结果的影响。
- 居斌陈涛
- 关键词：硅外延片势垒电容
- 具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究被引量：3
- 2016年
- 对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P^-/P^+/P/P^+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性<3%、电阻率不均匀性<3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。
- 李明达陈涛李普生薛兵
- 关键词：雪崩光电二极管外延片过渡区均匀性
