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王汝鹏

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米线阵列
  • 3篇衬底
  • 2篇一维材料
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇HEMT
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇有源
  • 1篇凸台
  • 1篇图形衬底
  • 1篇迁移率
  • 1篇膜层
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘介质
  • 1篇刻蚀
  • 1篇非极性

机构

  • 4篇华南师范大学

作者

  • 4篇李述体
  • 4篇宋伟东
  • 4篇王汝鹏
  • 2篇李凯
  • 2篇胡文晓
  • 1篇陈航

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层，所述衬底表面为多个方形台面间隔排列，所述方形台面上刻蚀有多个凹槽，所述多个凹槽长度与方形台面内分别生长有异质结纳米线，所...
李述体宋伟东李凯王汝鹏
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纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法
本发明公开了一种纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法，本发明的纳米线阵列的制备方法，包括：在衬底上刻蚀出呈矩阵排列的方形凸台；在刻蚀后的衬底上表面及方形凸台上表面蒸镀掩膜层；在方形凸台上刻蚀出等间距的梯形槽...
李述体王汝鹏宋伟东郭德霄陈航李凯
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一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法
本发明公开了一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法通过光刻工艺制备凹槽图形衬底，使得凹槽图形长度、宽度、深度可控，从而有效提高图形衬底上外延生长的微纳材料可控性。而且本发明直接在图形衬底上外延生长的微纳材料上...
李述体宋伟东王汝鹏胡文晓
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一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法
本发明公开了一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法通过光刻工艺制备凹槽图形衬底，使得凹槽图形长度、宽度、深度可控，从而有效提高图形衬底上外延生长的微纳材料可控性。而且本发明直接在图形衬底上外延生长的微纳材料上...
李述体宋伟东王汝鹏胡文晓
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