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胡文晓

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇一维材料
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇HEMT
  • 1篇图形衬底
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外发光二极...
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇极化
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇P型
  • 1篇GAN

机构

  • 3篇华南师范大学

作者

  • 3篇胡文晓
  • 2篇李述体
  • 2篇宋伟东
  • 2篇王汝鹏

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
极化诱导掺杂的p型层对紫外LED性能影响的研究
紫外光按波长可分为4个部分:UVA(320～400nm)、UVB(280～320nm)、UVC(200～320nm)、vacuumUV(10～200nm)，它在紫外固化、杀菌、鉴伪等领域都具有极强的应用性。目前市场上使用...
胡文晓
关键词：紫外发光二极管铝镓氮
一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法
本发明公开了一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法通过光刻工艺制备凹槽图形衬底，使得凹槽图形长度、宽度、深度可控，从而有效提高图形衬底上外延生长的微纳材料可控性。而且本发明直接在图形衬底上外延生长的微纳材料上...
李述体宋伟东王汝鹏胡文晓
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一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法
本发明公开了一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法通过光刻工艺制备凹槽图形衬底，使得凹槽图形长度、宽度、深度可控，从而有效提高图形衬底上外延生长的微纳材料可控性。而且本发明直接在图形衬底上外延生长的微纳材料上...
李述体宋伟东王汝鹏胡文晓
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