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王祝山

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 3篇晶圆
  • 2篇微结构
  • 2篇结构层
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇MEMS微结...
  • 2篇残余应力
  • 1篇电极
  • 1篇电极结构
  • 1篇淀积
  • 1篇亚胺
  • 1篇掩膜
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇微测辐射热计
  • 1篇牺牲层
  • 1篇膜层

机构

  • 7篇比亚迪汽车股...

作者

  • 7篇王祝山
  • 3篇姚日英
  • 3篇黄国华
  • 2篇张国华

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 3篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种MEMS微结构的制备方法
本发明提供一种MEMS微结构的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成聚酰亚胺牺牲层并预固化；在所述聚酰亚胺牺牲层表面形成掩膜层；去除形成在所述半导体衬底边缘部分的所述掩膜层；去除未被所述掩膜层保...
姚日英王祝山张国华黄国华
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非晶硅热敏薄膜及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法
本发明针对现有技术中在制备非制冷红外探测器中的热敏薄膜的过程中，PECVD方法的工艺窗口狭窄、形成热敏薄膜的过程中易导致工艺波动的缺陷，提供了一种非晶硅热敏薄膜的制备方法以及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法，能够提供宽...
姚日英王祝山
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一种半导体器件的制造方法
一种半导体器件的制造方法，包括：a)制备具有晶圆正面和晶圆背面的晶圆，并在所述晶圆背面上进行形成背面电极结构部分的工序中的至少一部分工序；b)将支撑衬底层叠在所述晶圆背面上；c)在所述晶圆正面上对所述晶圆进行减薄处理，在...
王祝山黄国华
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一种晶圆制造方法
本发明针对现有晶圆制造方法中存在的在晶圆的背表面和亚表面上产生损伤以及残余应力并进而对晶圆正面的半导体器件性能产生不良影响的问题，提供了一种晶圆制造方法，能够消弱在晶圆的背表面和亚表面上所产生的损伤以及残余应力对晶圆正面...
王祝山
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一种MEMS微结构的制备方法
本发明提供一种MEMS微结构的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成聚酰亚胺牺牲层并预固化；在所述聚酰亚胺牺牲层表面形成掩膜层；去除形成在所述半导体衬底边缘部分的所述掩膜层；去除未被所述掩膜层保...
姚日英王祝山张国华黄国华
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半导体器件及其制备方法
本发明提出了半导体器件及其制备方法。该器件包括：器件区；划片支撑区，所述划片支撑区环绕所述器件区设置，并且所述划片支撑区沿着远离器件区的方向向下延伸与所述器件区的底部构成凹槽；以及金属层，所述金属层覆盖所述凹槽。该半导体...
陈海郑忠庆王祝山
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一种晶圆制造方法
本发明针对现有晶圆制造方法中存在的在晶圆的背表面和亚表面上产生损伤以及残余应力并进而对晶圆正面的半导体器件性能产生不良影响的问题，提供了一种晶圆制造方法，能够消弱在晶圆的背表面和亚表面上所产生的损伤以及残余应力对晶圆正面...
王祝山
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