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张濛

作品数：135 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 134篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 59篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 48篇电极
  • 37篇势垒
  • 34篇势垒层
  • 22篇刻蚀
  • 22篇沟道
  • 20篇栅电极
  • 19篇栅宽
  • 19篇晶体管
  • 18篇异质结
  • 16篇二极管
  • 12篇钝化层
  • 12篇金刚石
  • 12篇刚石
  • 12篇高线性
  • 11篇调制
  • 10篇散热
  • 10篇散热能力
  • 10篇金属
  • 9篇氮化镓
  • 8篇单片

机构

  • 135篇西安电子科技...

作者

  • 135篇张濛
  • 129篇马晓华
  • 101篇杨凌
  • 95篇侯斌
  • 95篇郝跃
  • 86篇武玫
  • 33篇朱青
  • 11篇张鹏
  • 8篇王平
  • 7篇何云龙
  • 6篇王冲
  • 5篇吕玲
  • 3篇董洁
  • 3篇陈炽
  • 2篇李培咸
  • 2篇陈龙
  • 2篇刘文韬
  • 1篇孙静
  • 1篇张龙
  • 1篇卢阳

年份

  • 28篇2025
  • 25篇2024
  • 17篇2023
  • 34篇2022
  • 19篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
共 135 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法
本发明公开了一种基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法，限幅单元包括位于硅衬底上的两个硅基GaN准垂直MPS，形成正向和反向限幅二极管；钝化层覆盖两个MPS和硅衬底；薄膜保护电阻位于钝化层内；第一互连金属将电...
杨凌侯斌常青原芦浩朱宥军马晓华张濛武玫郝跃
一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法，包括：金刚石衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、介质层、p型金刚石层和栅介质层；AlGaN势垒层上设置有第一源电极和第一漏电极以及第...
马晓华武玫李仕明杨凌张濛侯斌郝跃
文献传递
基于超临界流体处理工艺的多沟道HEMTs及制备方法
本发明涉及一种基于超临界流体处理工艺的多沟道HEMTs及制备方法，制备方法包括：在衬底层表面依次生长缓冲层、多沟道异质结结构和帽层，多沟道异质结结构包括层叠的至少两个二维电子气沟道结构；在靠近衬底层的二维电子气沟道上方制...
朱青郭思音陈怡霖张濛宓珉瀚祝杰杰马晓华
基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET及其制备方法
本发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET，包括n<Sup>+</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层、n<Sup>‑</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<...
侯斌马晓华贾富春陈孝升杨凌张濛武玫郝跃
一种基于准垂直JTE SBD的单片集成倍压整流器件
本发明公开了一种基于准垂直JTE SBD的单片集成倍压整流器件，包括：两个准垂直JTE SBD，分别形成第一和第二充电二极管；钝化层，位于其内部的第一层金属：第一电容阴极板、第二电容阳极板、第一和第二充电二极管阴极；位于...
侯斌杨凌朱宥军马晓华常青原张濛武玫芦浩杜佳乐郝跃
一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法，该器件包括：衬底层；GaN外延层，形成于衬底层上；源电极，形成于GaN外延层上；漏电极，形成于GaN外延层上；第一钝化层，形成于GaN外延层上；第二钝化层，形成于第一钝化...
马晓华芦浩杨凌侯斌邓龙格陈炽武玫张濛郝跃
文献传递
具有三维T型栅的多沟道Fin HEMT器件的制备方法
本发明公开了一种具有三维T型栅的多沟道Fin HEMT器件的制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的具有三维T型栅的多沟道Fin HEMT器件的制备方法，针对多沟道射频器件的高深度侧壁结构，开发了适用于该结构的T型栅整体工...
张濛刘文韬张鹏祝杰杰马晓华
基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法
本发明涉及一种基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法，该器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；沟道层，位于缓冲层上；源极，位于沟道层的一端；漏极，位于沟道层的另一端；插入层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之...
张濛 郭思音马晓华 陈怡霖 宓珉瀚朱青
一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法
本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin?HEMT器件及其制备方法，器件包括衬底、异质结材料、Fin结构，以及栅金属，所述异质结材料设置在衬底上表面，Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin，栅金属设置在Fin结构上...
张鹏宓珉翰何云龙张濛马晓华郝跃
文献传递
一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法，器件包括：衬底层；GaN缓冲层，设置在所述衬底层上；背靠背势垒层，设置在所述GaN缓冲层上，所述背靠背势垒层中的Al组分自上而下由x递增到y、再由y递减到...
宓珉瀚马晓华杜翔王鹏飞周雨威安思瑞龚灿张濛朱青郝跃
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