卢伟涛
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaSb晶片钝化工艺对抛光表面的影响
- 2016年
- 锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验结果通过原子力显微镜(AFM)和X线光电子能谱(XPS)进行了表征,研究发现,经硫化铵溶液处理后,与Ga相比,Sb的硫化程度更完全,且该程度会随着硫化时间的延长而逐渐加大。另外,处理时间长会加重GaSb晶片表面的腐蚀,使其表面起伏加剧,表面粗糙度增大。
- 卢伟涛程红娟张弛高飞
- 关键词：硫钝化
