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高飞

作品数：13 被引量：22H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇化学机械抛光
  • 7篇机械抛光
  • 6篇CMP
  • 5篇抛光
  • 5篇面粗糙度
  • 5篇表面粗糙度
  • 5篇粗糙度
  • 3篇晶片
  • 3篇SIC
  • 3篇4H-SIC
  • 2篇碳化硅
  • 2篇晶体
  • 2篇构型
  • 2篇GASB
  • 2篇O
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇电氧化
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化工艺

机构

  • 13篇中国电子科技...
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇山东大学

作者

  • 13篇高飞
  • 9篇李晖
  • 7篇程红娟
  • 4篇徐永宽
  • 4篇张弛
  • 3篇徐世海
  • 2篇王磊
  • 2篇洪颖
  • 2篇张淑娟
  • 1篇邱明波
  • 1篇张丽
  • 1篇辛倩
  • 1篇张嵩
  • 1篇高飞
  • 1篇卢伟涛
  • 1篇王健

传媒

  • 4篇微纳电子技术
  • 2篇半导体技术
  • 1篇红外技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇压电与声光
  • 1篇2014`全...

年份

  • 2篇2025
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响被引量：2
2021年
研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子能谱仪(XPS)对清洗效果进行了表征,并分析了不同清洗方法对有机沾污的去除效果。实验结果表明,RCA清洗法清洗后晶片表面残留的有机沾污的含量最低,而食人鱼溶液清洗法可显著减小有机颗粒的尺寸,除蜡剂与丙酮和异丙醇的混合溶液对有机沾污的去除效果相近。优化的清洗工艺以丙酮和异丙醇的混合溶液作为初步清洗溶液,随后依次对晶片进行食人鱼溶液清洗和RCA清洗,应用此优化工艺清洗后的AlN单晶片表面颗粒较少,C—H键、C=O键和C—OH键的百分比分别为75.5%、20.4%和4.1%,表面粗糙度为0.069 2 nm。
徐世海边子夫高飞张丽程红娟王健李晖
硅晶体辅助进电氧化镓晶圆浸液放电切割技术研究
2025年
提出了一种硅晶体辅助进电的氧化镓晶圆浸液放电切割方法,以解决金刚石线锯切割导致的破碎、开裂及加工精度不足问题。搭建了浸液放电切割试验系统,针对传统伺服控制失效导致的切割轨迹闭合问题,通过放电特性分析,开发了基于放电概率检测的闭环伺服控制系统,实现了氧化镓晶圆的精密加工控制。创新性地提出了硅晶体辅助电极切割方法,解决了机械装夹易引发的晶片碎裂问题,并通过对比碳纤维板等材料的放电特性,证实硅晶体辅助电极可有效避免蚀除产物烧结造成的表面烧伤。实验结果表明,该方法成功实现了25.4 mm(1英寸)氧化镓晶圆的高精度切割,直径误差控制在50μm以内,相较传统金刚石线锯切割,加工精度提升约66.6%。
李晖杨继沼王英民高飞高飞张贻淼张弛
关键词：硅晶体碳膜
碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究
2023年
分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量,通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强,从而使晶片Si面更加光滑。此外,通过显微截面法测试了SiC晶片两面的损伤层深度。结果表明,Si面损伤层深度约为7.89μm,明显低于C面的13.8μm,显微镜下观察到截面边缘更加平整。该方法进一步证明了多线切割时晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面的磨削效果更强,从而造成SiC晶片两面表面形貌和质量存在差异。
樊元东李晖王英民高鹏程王磊高飞
关键词：表面粗糙度
有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响
2020年
研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响。分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面5点厚度的变化。发现采用液体蜡贴片时,加工晶片的TTV较好,蜡层的均匀性是影响晶片TTV的主要原因,蜡层厚度均匀性差会使晶片TTV变差,同时也会使晶片发生不规则的形变。并且分析了旋涂参数对液体蜡蜡层均匀性的影响。结果表明,在滴蜡时间为2.3 s、低速旋转速度为700 r/min、低速旋转时间为6 s、高速旋转速度为3000 r/min、高速旋转时间为7 s的条件下,贴片表面5个点的厚度偏差小于2μm,加工晶片的TTV小于5μm。
高飞李晖张弛
关键词：翘曲度
研磨和抛光参数对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底表面质量的影响
2025年
衬底的表面质量对卤化物气相外延(HVPE)法生长的同质外延薄膜的质量至关重要。研究了(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底研磨和抛光工艺中研磨盘材质、研磨压力、抛光垫种类等参数对材料去除速率(v_(R))、表面粗糙度(R_(a))和表面质量的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘、树脂锡盘和SUBA800抛光垫配合3μm粒径的多晶金刚石液研磨,均可以实现塑性域去除,v_(R)分别为3.13、1.23、0.25μm/min,R_(a)分别为16.2、13.2和7.81 nm。在化学机械抛光(CMP)过程中,抛光垫的物性参数直接影响v_(R)和表面质量,采用阻尼布可以实现R_(a)小于0.2 nm、无亚表面损伤的原子级平整表面。采用此衬底进行HVPE法生长的同质外延薄膜形貌均匀,未发现加工相关的缺陷。
高飞高飞程红娟张嵩程红娟辛倩
关键词：表面粗糙度
GaSb单晶片CMP工艺的研究被引量：6
2017年
主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过调节抛光液配比、pH值等工艺参数,研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同pH值对GaSb单晶片表面的影响。通过实验得出,最终在pH值为8且使用NaClO作为氧化剂的条件下,得到平整度较好、表面缺陷少、表面粗糙度低的高质量抛光表面的GaSb单晶片。通过微分干涉显微镜观察抛光后的单晶片表面无明显缺陷。经原子力显微镜(AFM)测试,单晶片的表面粗糙度达到了0.257 nm。
边子夫李晖徐世海刘卫丹陈阳高飞朱磊
关键词：GASBPH值
β-Ga_(2)O_(3)晶体金刚石线锯切割的表面质量研究被引量：1
2022年
本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶切割片表面质量的影响,并采用SEM和SJ-210粗糙度测试仪探究了工艺参数对金刚石线锯切割后的晶片表面质量的影响。实验结果表明,增大锯丝速度或减小材料进给速度都能降低亚表面损伤层深度及表面粗糙度,有效改善晶片表面质量。
李晖高鹏程程红娟王英民高飞张弛王磊
关键词：金刚石线锯亚表面损伤层表面粗糙度
4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法被引量：5
2014年
以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3 h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整。实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h。
高飞徐永宽程红娟洪颖张淑娟
关键词：表面粗糙度
GaSb晶片钝化工艺对抛光表面的影响
2016年
锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验结果通过原子力显微镜(AFM)和X线光电子能谱(XPS)进行了表征,研究发现,经硫化铵溶液处理后,与Ga相比,Sb的硫化程度更完全,且该程度会随着硫化时间的延长而逐渐加大。另外,处理时间长会加重GaSb晶片表面的腐蚀,使其表面起伏加剧,表面粗糙度增大。
卢伟涛程红娟张弛高飞
关键词：硫钝化
SiC晶片双面和单面抛光相结合的化学机械抛光被引量：2
2020年
以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法。先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特点,对比分析了采用此方法与传统单面抛光加工晶片的几何参数。采用表面缺陷测试仪和原子力显微镜检测加工晶片的表面形貌。结果表明,双面抛光5 h后,碳面无划痕,表面粗糙度达到0.151 nm,硅面则存在较多浅划痕,表面出现了一些类似台阶的结构;采用单面抛光工艺对硅面抛光1 h后即可获得具有规则排列原子台阶构型、无划痕的表面;与传统的单面抛光工艺相比,此方法加工晶片的几何参数优异,其中总厚度变化(TTV)值小于1.5μm,局部厚度变化(LTV)值小于0.6μm,翘曲度一致性好。
高飞李晖程红娟
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