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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇低功耗
  • 2篇功耗
  • 2篇触发器
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇低功耗技术
  • 1篇电压源设计
  • 1篇容忍度
  • 1篇失配
  • 1篇时钟
  • 1篇图像
  • 1篇图像矫正
  • 1篇缓存
  • 1篇缓存优化
  • 1篇基准电压
  • 1篇FPGA
  • 1篇LUT
  • 1篇成品率

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇李益航
  • 3篇罗小华
  • 3篇俞淼
  • 3篇卢宇峰

传媒

  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇电子技术(上...
  • 1篇复旦学报(自...

年份

  • 4篇2016
5 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于LUT实时图像矫正的行缓存优化被引量:4
2016年
基于反向映射的图像矫正被广泛应用于解决光学镜头透视引起的非线性畸变失真问题,该方法将映射坐标固化在LUT内,避免了复杂的坐标计算,但需要大量行缓存储备图像数据用以执行反向映射.为了减少行缓存的使用,本文提出了一种基于读扩展的环形行缓存读写算法,利用行同步信号的消隐间隔扩展读周期,使读写指针循序错开,保证上下映射的空间.相比传统的以最大偏移作为行缓存的结构,改进的专用控制算法可以减少近一半的内存使用.本文中的实时图像矫正系统已经在FPGA上实现,实验结果表明所提出的读扩展行缓存算法显著地改善了内存的消耗,并且获得良好的实时图像矫正效果.
卢宇峰罗小华俞淼李益航
关键词:LUTFPGA图像矫正
增强工艺偏差容忍度的带隙基准电压源设计
2016年
随着CMOS工艺特征尺寸的减小,带隙基准电压源在制造过程中因器件失配和工艺波动易导致实际输出电压和目标值发生偏离,降低芯片成品率.为此提出将Pelgrom失配模型引入电路设计中,分别从器件参数、电路结构、版图布局三方面对亚微米级的电路进行工艺偏差优化.基于华润上华(CSMC)0.5μm工艺以及Hspice软件仿真,显示基准源输出电压为1.232 54V,偏差小于5mV.流片测试结果表明,应用此设计的三通道LED驱动控制芯片成品率达到96.8%,输出电流达到(18±0.5)mA的芯片占99.6%以上.
俞淼罗小华卢宇峰李益航
关键词:失配带隙基准电压成品率
基于多位触发器的低功耗技术研究
随着集成电路(Integrated Circuit)工艺水平的不断发展以及特征尺寸的不断减小,目前IC设计已经跨入了超深亚微米的SoC(System on Chip)设计阶段,这对面积、性能、功耗有了更高的要求。随着众多...
李益航
关键词:低功耗技术
文献传递
共1页<1>
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