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胡薇

作品数：50 被引量：0H指数：0
供职机构：安徽大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程电子电信政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 10篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇政治法律

主题

  • 33篇电路
  • 15篇芯片
  • 9篇SRAM
  • 9篇存储器
  • 7篇运算电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇源极
  • 6篇噪声
  • 6篇噪声容限
  • 6篇功耗
  • 5篇电路设计
  • 5篇电压
  • 5篇静态功耗
  • 5篇集成电路设计
  • 5篇存储阵列
  • 4篇单元电路
  • 4篇电流
  • 4篇随机存储器
  • 4篇尾数
  • 4篇灵敏放大器

机构

  • 50篇安徽大学

作者

  • 50篇胡薇
  • 45篇吴秀龙
  • 42篇彭春雨
  • 41篇卢文娟
  • 30篇蔺智挺
  • 24篇赵强
  • 23篇周永亮
  • 22篇李鑫
  • 16篇刘玉
  • 5篇王鑫
  • 4篇陈军宁
  • 3篇高珊
  • 2篇李昊
  • 2篇王亚玲
  • 1篇朱明
  • 1篇刘浩
  • 1篇杨洋
  • 1篇张文强

年份

  • 25篇2025
  • 14篇2024
  • 7篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2014
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM
本申请涉及一种自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM，其中，该电路结构包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第一位线连接，所述第二反相器的输入端与所述第二位线连接；第一NMOS管和第...
蔺智挺龙淼戴成虎李鑫周永亮彭春雨李志刚吴秀龙胡薇卢文娟
一种10T1C-SRAM存内计算单元及存算电路
本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种10T1C‑SRAM存内计算单元及存算电路。本发明在经典的6T‑SRAM的基础上增设了4个NMOS晶体管N4~N7和1个电容C，设计出一种新的10T1C‑SRAM存内计算...
蔺智挺张豪吴秀龙胡薇卢文娟赵强戴成虎彭春雨李志刚
基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片
本发明涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片。本发明的基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路采用NMOS晶体管N7、N8和PMOS晶体管P5、P6配合，并采用双字线WL...
胡薇强斌彭春雨卢文娟赵强戴成虎郝礼才王亚玲吴秀龙
SRAM存储器的位线泄漏电流补偿电路、模块及存储器
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种SRAM存储器的位线泄漏电流补偿电路，集成位线泄漏电流补偿电路的功能模块，采用该功能模块的数据存储电路及其存储器。位线泄漏电流补偿电路用于连接在SRAM存储器中的存储阵列和灵敏放大...
戴成虎郑好彭春雨杜园园高珊卢文娟赵强胡薇郝礼才蔺智挺吴秀龙陈军宁
具有施密特结构的混合型14T-SRAM单元、SRAM电路、芯片
本发明属于静态随机存储器领域，具体涉及一种具有施密特结构的混合型14T‑SRAM单元及其对应的SRAM电路和存储芯片。14T‑SRAM单元由4个P型TFET晶体管，8个N型TFET晶体管，以及2个NMOS管构成。其中，本...
卢文娟王闯彭春雨胡薇戴成虎赵强吴秀龙陈军宁
面向需求的动态高增益放大电路及Pipeline SAR ADC
本发明属于模拟电路领域，具体涉及一种面向需求的动态高增益放大电路及Pipeline SAR ADC。该电路包括一个输出增益可调的前端动态放大器以及一个CR‑CLS电路，CR‑CLS电路由CLS电容C7、C8，修调电容C9...
蔺智挺陈伊航刘玉吴秀龙朱明戴成虎李鑫卢文娟彭春雨胡薇
基于FeFET的MLC存储器、MAC电路、CIM电路与芯片
本发明属于存储器领域，具体涉及一种基于FeFET的MLC存储器、MAC电路、CIM电路与芯片。MLC存储器的单元电路由2个FeFET晶体管F1、F2，1个PMOS管M1，1个NMOS管M2、1个采样电容C0构成；单元电路...
胡薇李志豪彭春雨卢文娟戴成虎吴秀龙
双向型动态比较器和电子设备
本申请涉及一种双向型动态比较器和电子设备，动态比较器包括：第一充电模块，包括第一充电单元和第二充电单元，第一充电单元和第二充电单元的输入端均连接电源，第一充电单元和第二充电单元的输出端通过第一开关模块分别连接预放大电路的...
蔺智挺刘浩龙彭春雨戴成虎赵强吴秀龙卢文娟胡薇刘玉郝礼才周永亮李鑫
自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM
本申请涉及一种自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM，其中，该电路结构包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第一位线连接，所述第二反相器的输入端与所述第二位线连接；第一NMOS管和第...
蔺智挺龙淼戴成虎李鑫周永亮彭春雨李志刚吴秀龙胡薇卢文娟
具有施密特结构的混合型14T-SRAM单元、SRAM电路、芯片
本发明属于静态随机存储器领域，具体涉及一种具有施密特结构的混合型14T‑SRAM单元及其对应的SRAM电路和存储芯片。14T‑SRAM单元由4个P型TFET晶体管，8个N型TFET晶体管，以及2个NMOS管构成。其中，本...
卢文娟王闯彭春雨胡薇戴成虎赵强吴秀龙陈军宁
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