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赵强

作品数：180 被引量：9H指数：2
供职机构：安徽大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 167篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 4篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 50篇自动化与计算...
  • 26篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 97篇电路
  • 43篇芯片
  • 25篇电路结构
  • 24篇锁存
  • 22篇SRAM
  • 20篇锁存器
  • 20篇存储器
  • 19篇拉管
  • 19篇集成电路
  • 18篇抗辐照
  • 17篇反相器
  • 17篇SRAM单元
  • 16篇源极
  • 14篇运算电路
  • 14篇功耗
  • 13篇乘法
  • 11篇电压
  • 10篇漏极
  • 9篇电路设计
  • 9篇抗辐射

机构

  • 179篇安徽大学
  • 2篇中国电波传播...
  • 2篇合肥海图微电...
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇上海高性能集...

作者

  • 179篇赵强
  • 163篇吴秀龙
  • 160篇彭春雨
  • 149篇蔺智挺
  • 113篇卢文娟
  • 52篇陈军宁
  • 40篇李鑫
  • 33篇高珊
  • 26篇周永亮
  • 24篇刘玉
  • 24篇胡薇
  • 9篇许鑫
  • 7篇李鹏飞
  • 6篇张劲
  • 5篇王鑫
  • 5篇程伟
  • 5篇关立军
  • 3篇陈琳
  • 3篇王亚玲
  • 3篇朱明

传媒

  • 2篇电气电子教学...
  • 2篇中国集成电路
  • 1篇微波学报
  • 1篇电子与封装
  • 1篇计算机科学与...

年份

  • 48篇2025
  • 37篇2024
  • 38篇2023
  • 32篇2022
  • 9篇2021
  • 11篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2013
共 180 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种互补输入比较器电路、模块
本发明涉及比较器设计技术领域，具体涉及一种互补输入比较器电路、模块。本发明公开了一种互补输入比较器电路，包括：开关部、输入部、电流源部、放大部、Buffer转换部一、Buffer转换部二。本发明电路的输入部采用了互补输入...
卢文娟陈江山彭春雨赵强蔺智挺吴秀龙
OBE 理念下“数字集成电路设计”课程教学改革被引量：3
2024年
“数字集成电路设计”是微电子科学与工程专业重要的专业核心课。在课程中引入OBE教学理念,以学生毕业从事集成电路设计工作应达成的能力目标为导向,逆向设计课程教学方案。从课程理论讲授到工程项目案例教学,对学习目标达成情况进行跟踪并针对教学活动和目标持续改进,形成面向能力目标的教学效果评价体系。帮助学生独立解决科学与工程问题,锻炼了学生的工程实践能力和创新能力。
赵强彭春雨郝礼才卢文娟蔺智挺吴秀龙
关键词：案例教学数字集成电路
基于极性加固的抗辐照锁存器的电路结构、芯片和模块
本发明涉及一种基于极性加固的抗辐照锁存器的电路结构、芯片和模块。该电路结构包括。多输入C单元、传输门、两个SRAM单元和两个传输单元。第二SRAM单元与第一SRAM单元结构对称并交叉耦合，形成存储节点S0～S7。当WL为...
赵强孙铎文许鑫林涵宇张亚楠郝礼才戴成虎彭春雨吴秀龙蔺智挺
一种提升I2C总线读写效率及可靠性的方法、系统
本发明公开了一种提升I2C总线读写效率及可靠性的方法、系统，涉及I2C总线通信技术领域。本发明调整了I2C总线的读取流程，在I2C总线开始工作前即进行了模式选择以确定出读操作或写操作，不仅避免了在读操作时需要进行一次伪写...
赵强丰建伟施琦强斌潘冬青李志刚李鑫彭春雨蔺智挺吴秀龙
一种电流域8TSRAM单元及动态自适应量化的存算电路
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种电流域8TSRAM单元、一种动态自适应量化的存算电路、CIM电路及其芯片。其由2个PMOS管P1～P2，6个NMOS管N1～N6构成；其中，P1、P2、N1～N4构成经典的具有两个...
蔺智挺柳云龙李劲铮袁子凡吴秀龙彭春雨戴成虎赵强卢文娟胡薇郝礼才周永亮李鑫
用在CMOS图像传感器的FIR滤波器以及ADC模块
本发明涉及滤波器设计技术领域，具体涉及用在CMOS图像传感器的FIR滤波器以及ADC模块。本发明提供了一种用在CMOS图像传感器的FIR滤波器，包括：1个全局计数器、N列列级电路。本发明公开的FIR滤波器通过优化电路结构...
赵强李超凡俞书航杜妍李文浩彭春雨蔺智挺吴秀龙
基于9T SRAM单元在内存实现汉明距离计算的电路及9T SRAM单元
本发明公开了一种基于9T SRAM单元在内存实现汉明距离计算的电路及9T SRAM单元，先将目标二进制数据存储到N行N列内存单元中，再将与之比较的N位二进制数据输入到字线信号WL或位线BL、BLB中，通过脉冲调制信号实现...
蔺智挺赵强陈军宁陈龙龙卢文娟彭春雨吴秀龙黎轩
一种由RRAM构成的可阻态区分且可重构的运算电路
本发明公开了一种由RRAM构成的可阻态区分且可重构的运算电路，包括3个NMOS晶体管；2个PMOS晶体管；以及两个电阻式随机存储器RRAM。2个NMOS晶体管和2个PMOS晶体管构成两个传输门结构，1个NMOS晶体管控制...
蔺智挺叶茂希彭春雨吴秀龙卢文娟赵强陈军宁
文献传递
一种低温漂高性能的带隙基准电路及电压基准模块
本发明属于电路技术领域，具体涉及一种低温漂高性能的带隙基准电路及电压基准模块。其包括第一启动电路、带隙基准核心电路和曲率补偿电路。第一启动电路用于在电路启动时将运放输出点电压拉低，使带隙基准电路摆脱由简并点引起的0电流状...
赵强石冰清李超凡李文浩刘天翔彭春雨戴成虎蔺智挺吴秀龙
多频段可细调的宽调谐范围的数控振荡器、锁相环及芯片
本发明涉及一种多频段可细调的宽调谐范围的数控振荡器、锁相环及芯片。数控振荡器包括n个差分运算放大器延迟单元、2n个阵列调谐电路、1个数字模拟转换器；n个差分运算放大器延迟单元级联，且级联尾端的输出V<Sub>out</S...
李志刚许洪嘉王静宜李鑫赵强朱明彭春雨吴秀龙
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