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李海军
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21
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供职机构:
华为技术有限公司
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相关领域:
电子电信
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合作作者
饶进
华为技术有限公司
马平
华为技术有限公司
贺强
华为技术有限公司
何涛
华为技术有限公司
刘涛
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李海军
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饶进
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胡彬
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2014
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半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备,涉及半导体技术领域,用于提高半导体器件的击穿电压。该半导体器件包括:沟道层;势垒层,势垒层覆盖沟道层;钝化层,钝化层覆盖势垒层,钝化层的第一区域延伸至势垒层内...
王泰方
何涛
祝玮
胡荟兰
张志利
李水明
李海军
饶进
一种充电控制装置、方法及电动汽车
本申请公开了一种充电控制装置、方法及电动汽车,包括:信号处理模块,用于接收供电设备发送的第一控制引导信号,根据所述第一控制引导信号向唤醒模块发送目标时长的高电平信号;所述唤醒模块,用于在接收到高电平信号的时长达到目标时长...
李海军
樊震
文献传递
集成电路及其制备方法、功率放大电路及电子设备
本申请实施例提供一种集成电路及其制备方法、功率放大电路及电子设备,涉及半导体技术领域,用于减少寄生电容和寄生电感,提高集成电路的性能。集成电路包括衬底、HEMT器件和第一匹配电路。HEMT器件包括外延层、栅极、第一极、第...
魏星
祝玮
李鹏
张志利
贺强
李水明
马平
仲正
李海军
半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。提供一种可以压缩器件面积的半导体器件。该半导体器件包括衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面,第一表面一侧设置有半导体功能层,正面电极设...
何涛
李水明
李海军
芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端
本申请实施例提供了一种芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端,涉及半导体技术领域,可以确保外延层与源极导电层充分接触。该芯片包括第一晶体管和第二晶体管,该方法包括:在衬底(10)上形成依次层叠设置的外延层(11)和源极导...
李水明
李海军
张志利
刘涛
饶进
高电子迁移率晶体管及其制作方法、芯片和电子设备
提供一种高电子迁移率晶体管(100),包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108),GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104),沟道层(104)邻接势垒...
张志利
饶进
刘涛
李海军
鲁微
李水明
汤岑
贺强
马俊彩
樊春华
术洋溢
半导体结构及其工作方法、功率放大电路、电子设备
本申请实施例提供一种半导体结构及其工作方法、功率放大电路、电子设备,涉及半导体技术领域,用于提高高功率半导体器件的总输出功率。半导体结构包括多个半导体组,每个半导体组包括多个源极、多个漏极和多个栅极、漏极焊盘、栅极焊盘以...
马平
李海军
仲正
乐伶聪
半导体结构及其制作方法、射频装置及电子设备
一种半导体结构及其制作方法、射频装置及电子设备,旨在解决回退效率低的问题。该有源区结构设置在衬底上,有源区结构包括层叠的设置的势垒层和沟道层,电极层层叠的设置在有源区结构上,电极包括间隔的设置的第一电极和第二电极,第一电...
魏星
何涛
吕敏
张志利
李海军
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管,包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极,所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间,所述高电子迁移率晶体管设有凹部,所述凹部设有凹部...
鲁微
李海军
马俊彩
贺强
鲁明
马平
晶体管、晶体管的制备方法及电子设备
本申请实施例提供一种晶体管、半导体器件封装结构以及电子设备。涉及半导体技术领域。提供可以降低热阻的晶体管的工艺结构和实现方式。晶体管包括衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面,第一表面一侧设置有源层,第二表面一侧设置金属...
胡彬
饶进
何涛
陆天皓
段焕涛
李海军
仲正
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