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饶进

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 10篇增益
  • 9篇放大器
  • 8篇增益放大
  • 8篇增益放大器
  • 7篇半导体
  • 6篇电流
  • 6篇电子设备
  • 6篇电阻网络
  • 5篇信号
  • 5篇芯片
  • 5篇半导体器件
  • 4篇电流开关
  • 4篇信号转换
  • 4篇晶体管
  • 4篇分流比
  • 3篇电路
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇可变增益
  • 3篇可变增益放大...

机构

  • 20篇华为技术有限...

作者

  • 20篇饶进
  • 8篇李海军
  • 7篇刘涛
  • 6篇诸小胜
  • 4篇朱芸
  • 4篇李治
  • 3篇贺强
  • 2篇何涛
  • 2篇王华江
  • 2篇王红玉
  • 2篇胡新荣
  • 2篇刘全
  • 2篇何卓彪
  • 2篇彭嵘
  • 2篇鲁明
  • 2篇张智
  • 2篇王永利
  • 2篇马俊彩
  • 2篇鲁微
  • 1篇王瑜

年份

  • 2篇2025
  • 5篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2012
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的击穿电压。该半导体器件包括：沟道层；势垒层，势垒层覆盖沟道层；钝化层，钝化层覆盖势垒层，钝化层的第一区域延伸至势垒层内...
王泰方何涛祝玮胡荟兰张志利李水明李海军饶进
一种连续可变增益放大器
本发明公开了一种连续可变增益放大器，包括增益控制电路、电阻网络及跨阻放大器：增益控制电路用于生成增益控制电平以控制电阻网络中的电流开关的导通或关闭，并控制每个电流开关对应的分流比连续变化；电阻网络用于在增益控制电平的控制...
李治诸小胜饶进
文献传递
可变增益放大器
本发明实施例公开了一种可变增益放大器，涉及电子电路领域，该可变增益放大器的输出电流与控制电压之间的对数线性较为理想。该可变增益放大器包括包括拟合差分模块组以及偏移电压输出模块，其中，所述拟合差分模块组用于在驱动电压和偏移...
饶进刘全朱芸王华江
文献传递
芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端
本申请实施例提供了一种芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端，涉及半导体技术领域，可以确保外延层与源极导电层充分接触。该芯片包括第一晶体管和第二晶体管，该方法包括：在衬底(10)上形成依次层叠设置的外延层(11)和源极导...
李水明李海军张志利刘涛饶进
高电子迁移率晶体管及其制作方法、芯片和电子设备
提供一种高电子迁移率晶体管(100)，包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108)，GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104)，沟道层(104)邻接势垒...
张志利饶进刘涛李海军鲁微李水明汤岑贺强马俊彩樊春华术洋溢
一种连续可变增益放大器
本发明公开了一种连续可变增益放大器，包括增益控制电路、电阻网络及跨阻放大器：增益控制电路用于生成增益控制电平以控制电阻网络中的电流开关的导通或关闭，并控制每个电流开关对应的分流比连续变化；电阻网络用于在增益控制电平的控制...
李治诸小胜饶进
连续可变增益放大器
连续可变增益放大器包括衰减网络、增益网络、第一和第二放大网络，其中衰减网络根据输入信号产生第一差分输出信号分别发送到第一和第二放大网络；第一和第二放大网络分别接收第一差分输出信号的一路，根据外部输入的控制电压生成第一路和...
张智胡新荣饶进王永利诸小胜彭嵘
文献传递
一种连续可变增益放大器
本发明公开了一种连续可变增益放大器，包括增益控制电路、电阻网络及跨阻放大器：增益控制电路用于生成增益控制电平以控制电阻网络中的电流开关的导通或关闭，并控制每个电流开关对应的分流比连续变化；电阻网络用于在增益控制电平的控制...
李治诸小胜饶进
晶体管、晶体管的制备方法及电子设备
本申请实施例提供一种晶体管、半导体器件封装结构以及电子设备。涉及半导体技术领域。提供可以降低热阻的晶体管的工艺结构和实现方式。晶体管包括衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面一侧设置有源层，第二表面一侧设置金属...
胡彬饶进何涛 陆天皓 段焕涛李海军 仲正
半导体结构及其制备方法、电子设备
本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低半导体结构的记忆效应。半导体结构包括由层叠设置的沟道层和势垒层组成的外延叠层，设置于势垒层远离沟道层一侧的源极、栅极以及漏极，设置于源极和...
王泰方李梦军徐耀鑫魏星贺强张志利李海军饶进
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共2页<12>
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