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鲁明

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇势垒
  • 2篇电流崩塌
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电子设备
  • 2篇钝化层
  • 2篇势垒层
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇光刻
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇成核
  • 1篇导体
  • 1篇电路
  • 1篇源区
  • 1篇热导率
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片制造

机构

  • 4篇华为技术有限...

作者

  • 4篇鲁明
  • 4篇李海军
  • 3篇贺强
  • 3篇马平
  • 2篇刘涛
  • 2篇饶进
  • 2篇马俊彩
  • 2篇鲁微
  • 1篇王瑜

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低设置背孔对半导体器件带来的影响。半导体器件包括：衬底；沟道层和势垒层，依次层叠设置于衬底上；源极、栅极和漏极，设置于势垒层上...
张志利饶进刘涛李海军李水明鲁明
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
文献传递
一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法
本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法，涉及芯片制造封装技术领域，用于在不增加尺寸的情况下，能够提高半导体器件的散热效率。该半导体器件包括：衬底、源极、漏极和栅极，以及槽；源极、漏极和栅极均形成在...
李水明王瑜马平鲁明汤岑张志利贺强李海军刘涛饶进
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