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邬苏东

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
相关领域：化学工程理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 9篇衬底
  • 6篇等离子体
  • 6篇反应气体
  • 5篇电感耦合
  • 5篇冷却剂
  • 4篇多孔硅
  • 4篇腔体
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇高通量
  • 4篇衬底材料
  • 3篇电感线圈
  • 3篇电感耦合等离...
  • 3篇压力控制
  • 3篇喷枪
  • 3篇清洗槽
  • 3篇自动化
  • 3篇自动化控制
  • 3篇钼电极
  • 3篇离子
  • 3篇控制阀

机构

  • 22篇中国科学院宁...
  • 4篇宁波英飞迈材...
  • 3篇宁波升日太阳...

作者

  • 22篇邬苏东
  • 15篇叶继春
  • 13篇高平奇
  • 10篇韩灿
  • 10篇杨映虎
  • 6篇张胜
  • 2篇杨熹
  • 2篇盛江
  • 2篇廖明墩

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
等离子体薄膜沉积装置
本实用新型提供了一种等离子体薄膜沉积装置，该装置包括腔体、供气系统、等离子体喷枪系统、抽真空系统、射频电源系统和压力控制系统，所述腔体中设置有样品台；所述等离子体喷枪系统与所述供气系统连通；所述抽真空系统与所述腔体连通；...
叶继春邬苏东高平奇杨映虎韩灿
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多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件
一种多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供非晶硅薄膜，将所述非晶硅薄膜放入反应室中的水冷样品台上；S2，向所述反应室中通入等离子体气体源，并将所述反应室的压力调节至100Pa至10000Pa；S3，激发所述等离子...
芦子玉邬苏东叶继春高平奇丁丽
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电感耦合等离子体喷枪及等离子体设备
本发明公开了一种电感耦合等离子体喷枪及等离子体设备，其中，电感耦合等离子体喷枪包括放电室、气体导入装置、冷却装置和电感线圈；放电室由第一空心管材围设而成，第一空心管材为氮化硅管或碳化硅管；气体导入装置与放电室连通；冷却装...
邬苏东叶继春高平奇杨映虎韩灿张胜
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一种垂直结构石墨烯的衬底快速筛选方法
本发明公开一种垂直结构石墨烯的衬底快速筛选方法，包括以下步骤：1）在衬底表面划分区域并对其不同区域分别采用不同材料沉积预处理；2）将预处理后的衬底置于喷射式等离子体的反应腔室内的样品台上；3）将反应腔室抽至真空后通入Ar...
王俊杰叶继春邬苏东杨熹廖明墩盛江
电化学腐蚀制备多孔硅及多孔硅膜的自剥离
张胜吕刚邬苏东高平奇叶继春
衬底温度的控制方法、装置及薄膜沉积设备
本发明公开了一种衬底温度的控制方法、装置及薄膜沉积设备。其中，所述衬底置于中空的样品台上，所述样品台的中空区域通有流通的冷却剂，通过以下方式实现对衬底温度的控制：测量流入样品台的冷却剂的温度，得到流入温度；测量流出样品台...
叶继春韩灿邬苏东高平奇杨映虎张胜
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高通量PECVD装置
本实用新型公开了一种高通量PECVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体...
项晓东邬苏东张欢杨熹盛江叶继春
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等离子体薄膜沉积装置及沉积方法
本发明提供了一种等离子体薄膜沉积装置及沉积方法，该装置包括腔体、供气系统、等离子体喷枪系统、抽真空系统、射频电源系统和压力控制系统，所述腔体中设置有样品台；所述等离子体喷枪系统与所述供气系统连通；所述抽真空系统与所述腔体...
叶继春邬苏东高平奇杨映虎韩灿
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一种垂直结构石墨烯的大面积快速制备方法
本发明公开一种垂直结构石墨烯的大面积快速制备方法，包括以下步骤：1）将衬底置于喷射式等离子体的反应腔室内的样品台上；2）将反应腔室抽至真空后通入Ar气，调节反应腔室压力到200‑1500Pa后，激发等离子体炬，随后通入H...
王俊杰叶继春邬苏东杨熹廖明墩盛江
高通量CVD装置及其沉积方法
本发明公开了一种高通量CVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台；气体导入装置，与沉积表面之间可围成多个独立的沉积微区，气体导入装置上形成有多个独立的反应气体进入通道，每个反应气体进入通道分别连通于一个所述沉积...
邬苏东汪晓平杨熹叶继春张欢项晓东盛江
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