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刘飞

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：合肥工业大学化学工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电沉积
  • 1篇线阵列
  • 1篇脉冲电沉积
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列

机构

  • 1篇合肥工业大学

作者

  • 1篇解挺
  • 1篇陈延彪
  • 1篇吴玉程
  • 1篇刘飞
  • 1篇杨友文

传媒

  • 1篇化工学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
脉冲电沉积制备InSb/Sb超晶格纳米线阵列被引量：1
2011年
采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试。高度有序的InSb/Sb超晶格纳米线长度约为40μm,其长径比超过600。实验中,通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制,纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2,在每个周期中,InSb的厚度为12 nm,Sb的厚度为20 nm。超晶格纳米线生长过程的研究表明:温度、电压等工艺参数对超晶格纳米线的生长有着重要影响,在沉积过程中,Sb的沉积速率要大于InSb的沉积速率。
杨友文陈延彪吴玉程解挺刘飞
关键词：脉冲电沉积
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