陈延彪
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- InSb超晶格纳米线的制备方法
- 本发明公开了一种InSb超晶格纳米线的制备方法，其特征是在孔洞均匀一致的氧化铝模板上，利用脉冲电化学沉积的方法，制备得到InSb/In<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1-x</Sub>(x＝0.2-0.6)超晶格纳...
- 杨友文陈东陈延彪陈祥迎解挺
- InSb超晶格纳米线的制备方法
- 本发明公开了一种InSb超晶格纳米线的制备方法，其特征是在孔洞均匀一致的氧化铝模板上，利用脉冲电化学沉积的方法，制备得到InSb/In<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1-x</Sub>(x＝0.2-0.6)超晶格纳...
- 杨友文陈东陈延彪陈祥迎解挺
- 文献传递
- 钴、镍纳米线及其异质结的制备与磁性研究被引量：1
- 2010年
- 采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备了单晶钴、镍纳米线阵列和镍/钴纳米线异质结阵列。分别用场发射扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪、物理性能测试系统对纳米线阵列的微观形貌、结构和性能进行了表征与研究。结果表明,所制备的磁性纳米线有很大的长径比,易磁化方向均为纳米线长轴方向。纳米线异质结阵列在易磁化方向具有较大的矫顽力和矩形比,可用作高密度垂直磁记录材料。
- 陈延彪杨友文孔祥存吴玉程孔明光
- 关键词：电沉积镍纳米线异质结磁学性能
- 不同生长方向Sb单晶纳米线的可控制备方法
- 本发明公开了一种不同生长方向Sb单晶纳米线的可控制备方法，其特征是在孔洞均匀一致的氧化铝模板上，利用脉冲电沉积的方法，以加入不同量的添加剂的电解液为基础，制备得到分别沿着[110]、[012]方向生长的六方晶体结构的Sb...
- 杨友文陈延彪陈祥迎刘飞
- 文献传递
- 不同生长方向Sb单晶纳米线的可控制备方法
- 本发明公开了一种不同生长方向Sb单晶纳米线的可控制备方法，其特征是在孔洞均匀一致的氧化铝模板上，利用脉冲电沉积的方法，以加入不同量的添加剂的电解液为基础，制备得到分别沿着[110]、[012]方向生长的六方晶体结构的Sb...
- 杨友文陈延彪陈祥迎刘飞
- Sb、Co及其合金纳米线阵列的制备与物性研究
- 准一维纳米材料和纳米结构是近年来纳米科技领域研究的前沿和热点,吸引了物理、化学、材料和生物等领域的众多科学家的广泛关注。本文旨在采用脉冲电沉积技术,结合多孔氧化铝模板(AAM),合成准一维纳米线阵列。重点研究Sb、Co及...
- 陈延彪
- 关键词：磁学性能电化学性能
- 文献传递
- 脉冲电沉积制备InSb/Sb超晶格纳米线阵列被引量：1
- 2011年
- 采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试。高度有序的InSb/Sb超晶格纳米线长度约为40μm,其长径比超过600。实验中,通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制,纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2,在每个周期中,InSb的厚度为12 nm,Sb的厚度为20 nm。超晶格纳米线生长过程的研究表明:温度、电压等工艺参数对超晶格纳米线的生长有着重要影响,在沉积过程中,Sb的沉积速率要大于InSb的沉积速率。
- 杨友文陈延彪吴玉程解挺刘飞
- 关键词：脉冲电沉积
