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杨爱国

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇淀积
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米压印
  • 2篇纳米压印技术
  • 2篇光刻
  • 2篇硅纳米线
  • 2篇硅栅

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇屈新萍
  • 2篇高晨
  • 2篇杨爱国

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
使用纳米压印和接触式光刻制备硅纳米线晶体管的方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列，作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次使用纳米...
杨爱国屈新萍高晨
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使用纳米压印和接触式光刻制备硅纳米线晶体管的方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列，作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次使用纳米...
杨爱国屈新萍高晨
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