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高晨

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇纳米压印
  • 4篇纳米压印技术
  • 4篇光子
  • 4篇硅纳米线
  • 2篇低损耗
  • 2篇淀积
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇软模板
  • 2篇神经计算
  • 2篇神经元
  • 2篇神经元功能
  • 2篇热控
  • 2篇热控制
  • 2篇相变材料
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成光路

机构

  • 10篇复旦大学

作者

  • 10篇高晨
  • 6篇周鹏
  • 4篇屈新萍
  • 4篇沈佳斌
  • 2篇邓少任
  • 2篇刘冉
  • 2篇陈宜方
  • 2篇万景
  • 2篇杨爱国

年份

  • 2篇2025
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种多路光子存算一体器件和光子神经网络
本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种多路光子存算一体器件和光子神经网络。本发明的多路光子存算一体器件，自下而上分别为多路交叉结构和光子存储材料的片上光子器件结构。光子存储材料层位于多路交叉结构的中心位置；利用多路交叉...
程增光周鹏沈佳斌高晨
一种光子存算一体器件和光子神经网络结构
本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种光子存算一体器件和光子神经网络结构。本发明光子存算一体器件包括多环谐振器和光子存储材料，光子存储材料位于多环中的任意一个或几个上，或者位于通端或降端的波导上；在光子存储材料的上、下...
程增光周鹏高晨沈佳斌
一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置
本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置。本发明的非垂直间接电加热结构包括光波导、相变材料层、绝缘包覆层、加热器、硅通孔（TSV）。其中，相变材料层位于光波导上或嵌入光波导中；加热...
程增光高晨周鹏
一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置
本发明属于微纳光电子技术领域，具体为一种与硅光集成工艺兼容的非垂直间接电加热装置。本发明的非垂直间接电加热结构包括光波导、相变材料层、绝缘包覆层、加热器、硅通孔（TSV）。其中，相变材料层位于光波导上或嵌入光波导中；加热...
程增光高晨周鹏
使用纳米压印和接触式光刻制备硅纳米线晶体管的方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列，作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次使用纳米...
杨爱国屈新萍高晨
文献传递
一种光子神经元器件单元及光子神经计算器件
本发明属于光电子技术领域，具体为一种光子神经元器件单元及光子神经计算器件。本发明的光子神经元器件单元是由波导、神经元材料上、下组合形成的片上光子器件结构；光子神经元材料具有双向转变特性，在操作前为非晶态或晶态，当施加的光...
周鹏程增光沈佳斌高晨
使用纳米压印和接触式光刻制备硅纳米线晶体管的方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列，作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次使用纳米...
杨爱国屈新萍高晨
一种光子神经元器件单元及光子神经计算器件
本发明属于光电子技术领域，具体为一种光子神经元器件单元及光子神经计算器件。本发明的光子神经元器件单元是由波导、神经元材料上、下组合形成的片上光子器件结构；光子神经元材料具有双向转变特性，在操作前为非晶态或晶态，当施加的光...
周鹏 程增光沈佳斌高晨
一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线制作方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，...
高晨屈新萍邓少任万景刘冉陈宜方
文献传递
一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线制作方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，...
高晨屈新萍邓少任万景刘冉陈宜方
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