刘洪飞
- 作品数：8 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Si(001)衬底上GeSi外延膜的Crosshatch起源研究
- 本文研究了Si(001)衬底上GeSi外延膜的粗糙表面形貌,提出了一种新的粗糙表面形貌的形成机制,弥补了目前存在模型的不足.
- 陈弘李永康彭长四刘洪飞黄绮周均铭
- 关键词：SI衬底分子束外延生长
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- GaAs(001)衬底上分子束外延生长六方GaN薄膜
- 本文在国产的MBE系统中,首次采用AlAs成核层在GaAs(001)衬底上发生出了六方GaN.采用LT-AIN代替LT-GaN作为缓冲层改善GaN外延薄膜的质量.
- 刘洪飞陈弘万里李东升黄绮周均铭
- 关键词：GANGAAS衬底分子束外延生长外延层质量
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- GaAs(001)衬底上生长立方GaN的Raman光谱及X射线研究
- 李志强陈弘刘洪飞刘双李建华黄绮周均铭
- 关键词：GAAS(001)衬底立方GANRAMAN光谱X射线
- GaAs衬底上外延立方GaN的电镜分析
- 万里陈弘段晓峰李志强刘洪飞黄绮周均铭
- 关键词：GAAS衬底GAN生长电镜分析
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- CaN材料的分子束外延生长及其特性研究
- Ⅲ/Ⅴ氮化物半导体材料,由于其具有较宽的带隙,能够应用在蓝光和绿光发光波段的光电子器件和高温微电子器件中,因而成为国际上的研究热点之一.该论文的研究工作主要是采用射频等离子体N<,2>源分子束外延系统(RF-MBE)在G...
- 刘洪飞
- 关键词：分子束外延喇曼散射原子力显微镜
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- 利用MBE在GaAs衬底上生长高质量立方GaN
- 陈弘李志强刘洪飞刘双万里黄绮周均铭
- 关键词：MBEGAASGAN生长
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- 立方GaN外延层的热稳定性研究
- 本文对GaAs(001)衬底上分子束外延生长的立方GaN的热稳定性做了研究,研究表明随着退火温度的提高样品表面粗糙度减小.
- 刘洪飞陈弘万里李东升黄绮周均铭
- 关键词：GAN热稳定性分子束外延生长退火温度
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- GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜被引量：7
- 2000年
- 采用分子束外延方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长出了 0 3微米厚的GaN薄膜 ,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明 ,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜 .
- 刘洪飞陈弘李志强万里黄绮周均铭罗毅韩英军
- 关键词：砷化镓分子束外延生长氮化镓薄膜
