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万里

作品数：7 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇衬底
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇GAN
  • 3篇外延层
  • 3篇立方GAN
  • 3篇分子束外延生...
  • 3篇GAAS(0...
  • 3篇GAAS衬底
  • 2篇GAN薄膜
  • 2篇GAN生长
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇电镜
  • 1篇电镜分析
  • 1篇砷化镓
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇热稳定

机构

  • 7篇中国科学院
  • 1篇清华大学

作者

  • 7篇万里
  • 5篇黄绮
  • 5篇周均铭
  • 5篇陈弘
  • 5篇刘洪飞
  • 3篇李志强
  • 2篇段晓峰
  • 2篇李东升
  • 1篇胡桂青
  • 1篇陆沅
  • 1篇罗毅
  • 1篇刘祥林
  • 1篇刘双
  • 1篇孔翔
  • 1篇王乙潜

传媒

  • 2篇第六届全国分...
  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察
胡桂青孔翔王乙潜万里段晓峰陆沅刘祥林
关键词：GAN外延层TEM
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GaAs(001)衬底上分子束外延生长六方GaN薄膜
本文在国产的MBE系统中,首次采用AlAs成核层在GaAs(001)衬底上发生出了六方GaN.采用LT-AIN代替LT-GaN作为缓冲层改善GaN外延薄膜的质量.
刘洪飞陈弘万里李东升黄绮周均铭
关键词：GANGAAS衬底分子束外延生长外延层质量
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GaAs衬底上外延立方GaN的电镜分析
万里陈弘段晓峰李志强刘洪飞黄绮周均铭
关键词：GAAS衬底GAN生长电镜分析
文献传递
GaAs（001）衬底上AlAs缓冲层表面对GaN生长的影响
该论文主要采用了透射电子显微技术研究了射频源分子束外延系统（RF-MBE）在GaAs（001）衬底上先外延AlAs缓冲层再生长的GaN薄膜,并分析了AlAs缓冲层及其表面氮化对GaN薄膜生长的影响,获得了一些新的结果.1...
万里
关键词：分子束外延透射电子显微镜GANALASALN
文献传递
立方GaN外延层的热稳定性研究
本文对GaAs(001)衬底上分子束外延生长的立方GaN的热稳定性做了研究,研究表明随着退火温度的提高样品表面粗糙度减小.
刘洪飞陈弘万里李东升黄绮周均铭
关键词：GAN热稳定性分子束外延生长退火温度
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利用MBE在GaAs衬底上生长高质量立方GaN
陈弘李志强刘洪飞刘双万里黄绮周均铭
关键词：MBEGAASGAN生长
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GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜被引量：7
2000年
采用分子束外延方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长出了 0 3微米厚的GaN薄膜 ,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明 ,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜 .
刘洪飞陈弘李志强万里黄绮周均铭罗毅韩英军
关键词：砷化镓分子束外延生长氮化镓薄膜
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