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余文斌

作品数：4 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇化学束外延
  • 2篇CBE
  • 1篇硬件
  • 1篇有机化合物
  • 1篇首台
  • 1篇金属
  • 1篇控制系统
  • 1篇化合物
  • 1篇国内首台
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇半导体薄膜技...
  • 1篇UHV/CV...
  • 1篇硅
  • 1篇IC

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇东北师范大学

作者

  • 4篇余文斌
  • 3篇谢琪
  • 3篇张利强
  • 2篇刘世闯
  • 2篇孙殿照
  • 2篇孔梅影
  • 2篇韩汝水
  • 2篇雷震霖
  • 2篇乔金梁
  • 1篇余金中
  • 1篇于卓
  • 1篇于卓
  • 1篇雷震林
  • 1篇王启明
  • 1篇成步文
  • 1篇赵科新

传媒

  • 3篇半导体情报
  • 1篇真空

年份

  • 1篇1997
  • 3篇1991
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果
1991年
研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。
孙殿照孔梅影韩汝水朱世荣阎春辉国红熙付首清周增圻张晓秋黄运衡谢琪刘世闯雷震林张利强余文斌乔金梁
关键词：化学束外延
金属有机源分子束外延设备的研制
1991年
本文报道了金属有机源分子束外廷设备的设计方案和技术特点。该设备最大样品尺寸为3英寸,3室结构,空气闭锁换样,6条气路。
谢琪刘世闯雷震霖张利强余文斌乔金梁孔梅影孙殿照韩汝水朱世莱阎春辉
关键词：金属有机化合物分子束外延
CBE设备的控制系统
1991年
化学束外延(CBE)是半导体超薄层材料生长技术的最新发展,它兼有MBE和MOCVD两者的优点。我们研制出了CBE设备。本文给出了CBE设备的控制系统的硬、软件设计。
韩汝水付首清张利强余文斌
关键词：化学束外延硬件
UHV/CVD 设备及其特性被引量：8
1997年
本文描述超高真空化学气相淀积系统（ＵＨＶ／ＣＶＤ）的设计思想、系统的结构和性能，着重介绍超高真空的获得和系统的特点，将为“第二代硅”ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结材料的生长及未来的光电子集成提供有力的工具。
雷震霖赵科新余文斌任国豪谢琪余金中成步文于卓于卓于卓
关键词：硅ICUHV/CVD半导体薄膜技术
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共1页<1>
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