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黄健

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氧化硅
  • 1篇势垒
  • 1篇双势垒
  • 1篇纳米硅
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇浮栅

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇方忠慧
  • 1篇王祥
  • 1篇刘奎
  • 1篇黄信凡
  • 1篇丁宏林
  • 1篇陈坤基
  • 1篇余林蔚
  • 1篇黄健
  • 1篇李伟

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量：3
2008年
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基
关键词：二氧化硅纳米硅
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