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余林蔚
作品数:
121
被引量:14
H指数:3
供职机构:
南京大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
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合作作者
王军转
南京大学电子科学与工程学院
徐骏
南京大学电子科学与工程学院
陈坤基
南京大学电子科学与工程学院
李伟
南京大学物理学院物理学系
徐岭
南京大学
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2006
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一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法
本发明公开一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法,包括以下几个步骤:第一步,在目标衬底上定义掩模阵列;第二步,沿掩模阵列侧壁的轴向平行刻蚀一组预设间距的平行凹槽阵列的柱阵列;第三步,定义催化颗粒沉积区域,并...
余林蔚
文献传递
平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法
本发明属于半导体技术领域,公开了一种平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法,本发明是通过分区淀积叠层非晶锗硅前驱体生长出可精确定位的分区超晶格纳米线,通过光刻或者EBL的方法在超晶格区域的纳米线两侧做源漏电极,接着根据...
余林蔚
刘帅帅
王军转
FinFET沟道表面氢热处理的优化研究
王刚
汪煜
王军转
潘力佳
余林蔚
郑有炓
施毅
具有悬空纳米线结构的IGZO-FET器件及制备方法
本发明涉及微电子制造技术领域。本发明公开了一种具有悬空纳米线结构的IGZO‑FET器件,悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有栅介质层,IGZO沟道层及源、漏电极层,悬空电极及其链接的悬空纳米线构成CAA IGZO‑FET...
余林蔚
翁乐
钱文涛
王军转
无需高精度光刻制备平面超细密排沟槽及纳米线的方法
本发明公开一种结合垂直侧壁上的叠层结构和CMP工艺制备平面超细密排沟槽结构,并通过平面固液固的纳米线生长方法,制备出可定位的平面超细密排纳米线,并通过编程引导技术实现阵列化。本发明有望突破长期以来由于光刻技术限制无法大规...
余林蔚
谢铭瑜
钱文涛
王军转
一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法
一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法,包括:1)采用具有一定硬度,耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面;2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约90nm‑350nm生物探针形状的引导沟道;3)通过平面纳米线引导生...
余林蔚
王吉米
薛兆国
王军转
徐骏
文献传递
一种基于异质叠层非晶薄膜供给的平面锗硅及相关纳米线生长形貌和组分调控的方法
一种利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法,以硅锗体系为例,通过非晶硅(a‑Si)/非晶锗(a‑Ge)叠层薄膜作为前驱体,制备出自发相分离的硅锗岛链纳米线结构,采用叠层非晶薄膜作为前驱体层,通过金属液滴的吸...
余林蔚
赵耀龙
王军转
文献传递
一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法
本发明公开一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法,包括以下几个步骤:S1:将制得的硅纳米螺旋结构样品放入浓度为0.4%的氢氟酸溶液中,使氧化硅柱快速溶解,得到含有若干笼状螺旋状硅纳米线的混合液;S2:多次过滤、清...
余林蔚
袁荣荣
刘宗光
马海光
王军转
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气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法
气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法,首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H<Sub>2</Sub>)等离子体的预处理,在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心;...
余林蔚
陈坤基
李伟
徐骏
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宋捷
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基于可编程纳米线为模板实现大面积石墨烯纳米带阵列的制备方法
可编程纳米线为模板实现大面积石墨烯纳米带阵列的制备方法,1)利用光刻、电子束直写或掩模板技术在硅/二氧化硅衬底上定义所需的平面图案,利用电感耦合等离子体ICP刻蚀或者反应离子体刻蚀RIE技术刻蚀有台阶的引导沟道;2)利用...
余林蔚
刘川
马海光
王军转
王肖沐
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