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柴正

作品数：38 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 38篇石墨
  • 38篇石墨烯
  • 19篇衬底
  • 15篇退火
  • 10篇电学
  • 9篇CVD
  • 8篇电学特性
  • 7篇退火温度
  • 7篇高温退火
  • 6篇半导体
  • 5篇淀积
  • 5篇气相沉积
  • 5篇化合物半导体
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 4篇有效面积
  • 4篇圆片
  • 4篇热退火
  • 4篇金属薄膜
  • 4篇蓝宝

机构

  • 38篇西安电子科技...

作者

  • 38篇柴正
  • 37篇张进成
  • 37篇王东
  • 37篇闫景东
  • 37篇郝跃
  • 36篇宁静
  • 1篇张春福
  • 1篇史永贵

年份

  • 7篇2016
  • 9篇2015
  • 5篇2014
  • 17篇2013
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超声波辅助石墨烯去胶的方法
本发明公开了一种超声波辅助石墨烯去胶的方法，将化学气相沉积方法生长在铜箔上的石墨烯用PMMA进行甩胶、烘干；用FeCl<Sub>3</Sub>溶液腐蚀下方铜箔；将PMMA定型的石墨烯转移至Si-SiO<Sub>2</Su...
韩砀王东宁静闫景东柴正张进成郝跃
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蓝宝石衬底转移石墨烯的退火方法
本发明公开了一种蓝宝石衬底转移石墨烯的退火方法，采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质，同时高温退火还可以使衬底与石墨烯接触得到改善，有效地处理了蓝宝石衬底对...
宁静王东韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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一种氧化锌衬底转移石墨烯的退火方法
本发明公开了一种氧化锌衬底转移石墨烯的退火方法，采用低压低温气氛退火的方式，针对氧化锌衬底的特性，为避免掺杂效应，通过改变气氛条件，调节退火温度和退火处理的时间，去除转移过程中的PMMA光刻胶残留，并尽可能减少掺杂效应对...
王东宁静韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法
本发明公开了一种基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法，主要解决现有技术工序复杂和有效面积小的问题。其实现步骤如下：（1）将圆片级衬底放入MOCVD生长室，并向反应室通入H<Sub>2</Sub>，对衬底表面进行预...
王东韩砀宁静闫景东柴正张进成郝跃
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基于非接触式霍尔效应测量石墨烯载流子迁移率的方法
本发明属于半导体技术领域，提供了基于非接触式霍尔效应测量石墨烯载流子迁移率的方法，采用入射电磁波激发的方式，在石墨烯中引入感应电流和霍尔电流，通过测量霍尔电流辐射出的电磁波，并与入射电磁波相比较，得出石墨烯的迁移率，再改...
韩砀王东宁静闫景东柴正张进成郝跃
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一种制备1至5层单晶石墨烯的方法
本发明公开了一种1至5层单晶石墨烯片的制备方法，将Cu衬底放入特制的化学气相反应室中，抽真空至10<Sup>-1</Sup>～10<Sup>-4</Sup>Pa；向反应室内充入高纯H<Sub>2</Sub>，气流量为1～...
史永贵王东闫景东韩砀柴正张进成郝跃
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基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法
本发明公开了一种基于MOCVD设备的圆片级石墨烯可控外延方法，主要解决现有技术工序复杂和有效面积小的问题。其实现步骤如下：（1）将圆片级衬底放入MOCVD生长室，并向反应室通入H<Sub>2</Sub>，对衬底表面进行预...
王东韩砀宁静闫景东柴正张进成郝跃
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一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法
本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法，该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜，通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度，利用金属薄膜的表...
王东宁静柴正韩砀闫景东张进成郝跃
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一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法
本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法，该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜，通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度，利用金属薄膜的表...
柴正王东宁静韩砀闫景东张进成郝跃
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一种基于AlN衬底的石墨烯转移退火方法及制造的器件
本发明公开了一种基于AlN衬底的石墨烯转移退火方法，利用湿法转移法将大面积单层石墨烯转移至AlN衬底上，并采用低压低温气氛退火的方式，针对AlN衬底，通过优化气氛条件，调节退火温度和退火处理的时间，去除转移过程中的PMM...
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