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林罡

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇中文专利

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 16篇半导体
  • 15篇半导体器件
  • 12篇化合物半导体
  • 12篇化合物半导体...
  • 5篇砷化镓
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇直流
  • 4篇射频
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇击穿电压
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 4篇测试系统
  • 4篇掺杂
  • 3篇信号
  • 3篇直流激励
  • 3篇势垒
  • 3篇热分布
  • 3篇化合物

机构

  • 26篇中国电子科技...

作者

  • 26篇林罡
  • 16篇陈堂胜
  • 6篇章军云
  • 4篇高建峰
  • 2篇薛舫时
  • 2篇张凯
  • 2篇李彭瑞
  • 2篇潘斌
  • 2篇吴少兵

年份

  • 4篇2025
  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 7篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法
本发明提出的是一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，在组装好半导体器件的管壳内涂覆第一层聚酰亚胺，将管壳放入具有保护气体气氛的烘箱中常温静置，使第一层聚酰亚胺填充于管壳内部各器件之间的缝隙；在管壳内涂覆第二层聚酰亚胺，...
邵国键林罡陈正廉孙军刘柱陈韬陈堂胜
化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法
本发明提供化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法，包括：热台、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和红外热像仪；半导体器件置于热台上，所述源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源为半导体器件提供直流激励信号；...
邵国键林罡 任彬 张长梅 陈正廉 孙军 刘柱 陈韬陈堂胜
文献传递
一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法
本发明提供了一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述势垒层上方设有源极和漏极，所述源极和漏极之...
邵国键林罡任彬陈韬刘柱陈堂胜
文献传递
基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统
本发明公开了基于EMMI的化合物半导体器件直流测试系统，包括测试夹具、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和EMMI平台；化合物半导体器件装配在测试夹具中，EMMI平台采集化合物半导体器件在不加电情况下的背景噪声信号...
邵国键林罡陈正廉孙军刘柱陈韬陈堂胜
一种改善化合物半导体器件光刻性能的版图设计方法
本发明公开了一种改善化合物半导体器件光刻性能的版图设计方法，在光刻版图上的低分布密度的原始设计图形的外侧增加封闭的虚拟线框，所述虚拟线框的线宽尺寸小于光刻机的曝光极限线宽，从而在圆片表面不形成真实的虚拟线框图形。本发明通...
邵国键林罡陈韬刘柱陈堂胜
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一种提高耗尽型氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法
本发明提供了一种提高耗尽型氮化镓HEMT功率器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述外延层上方设有源极和漏极，所述源极和漏...
邵国键林罡陈韬刘柱陈堂胜
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一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法
本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法，低掺杂砷化镓层在InGaAs沟道及AlGaAs势垒层上；高掺杂砷化镓层在低掺杂砷化镓层；高掺杂砷化镓层上的源电极和与源电极间有漏电极；源电极和漏电极之间去除高掺杂砷化镓层提...
章军云高建峰林罡
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具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构
本发明是一种具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构，包括A金属层、A扩散阻挡层、B金属层、B扩散阻挡层、C金属层、接触金属层、衬底、正面图形，其中A金属层上是A扩散阻挡层；A扩散阻挡层上是金属层；B金属层上是B扩...
林罡
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基于EMMI系统的化合物半导体射频功率测试系统及方法
本发明公开了基于EMMI系统的化合物半导体射频功率测试系统及方法，包括信号源，耦合器，隔离器，负载调节器和EMMI平台；首先采用EMMI平台采集器件在未加电和未加微波激励信号时的背景光信号；然后为器件加电，使得器件处于导...
邵国键林罡 任彬 张长梅 刘柱 陈韬陈堂胜
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一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法，带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯，包括：衬底、位于衬底上的GaN、位于GaN上的器件、位于衬底上的金属层电路以及位于G...
代鲲鹏潘斌张凯吴少兵林罡章军云
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