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章军云

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程

主题

  • 13篇晶体管
  • 12篇电子迁移率
  • 12篇迁移率
  • 12篇高电子迁移率
  • 12篇高电子迁移率...
  • 9篇砷化镓
  • 8篇赝配高电子迁...
  • 7篇电极
  • 7篇刻蚀
  • 4篇势垒
  • 4篇半导体
  • 4篇掺杂
  • 3篇单片
  • 3篇电镀
  • 3篇电路
  • 3篇电容
  • 3篇粘附
  • 3篇子层
  • 3篇芯片
  • 3篇金属

机构

  • 34篇中国电子科技...

作者

  • 34篇章军云
  • 13篇高建峰
  • 9篇吴少兵
  • 6篇林罡
  • 4篇王溯源
  • 3篇潘斌
  • 2篇黄念宁
  • 2篇任春江
  • 2篇薛舫时
  • 2篇朱赤
  • 2篇张凯
  • 2篇马飞
  • 2篇康耀辉
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇周建军
  • 1篇陈金远
  • 1篇李彭瑞
  • 1篇凌宗欣

传媒

  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 3篇2025
  • 9篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种介质辅助两次成形T形栅的制作方法
本发明公开了一种介质辅助两次成形T形栅的制作方法，通过两次工艺分别制作T形栅的上、下两部分，结合SiN介质辅助，保证了T形栅的几何稳定度，从而获得较高成品率的小尺寸T形栅，减小了器件的寄生参数，提高了器件的性能，特别是高...
康耀辉高建峰章军云
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一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法
本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法，低掺杂砷化镓层在InGaAs沟道及AlGaAs势垒层上；高掺杂砷化镓层在低掺杂砷化镓层；高掺杂砷化镓层上的源电极和与源电极间有漏电极；源电极和漏电极之间去除高掺杂砷化镓层提...
章军云高建峰林罡
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一种带正反面欧姆接触电极的SiC基GaN肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种带正反面欧姆接触电极的SiC基GaN肖特基二极管，包括：从下到上SiC衬底、GaN过渡层、高掺杂GaN层、低掺杂GaN层和形成在高掺杂GaN层上的第一阴极、形成在低掺杂GaN层上的肖特基阳极、形成在SiC...
代鲲鹏吴少兵章军云李彭瑞梁宗文葛建雷
一种提升频率特性的赝配高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管的制作方法，本发明是在普通的双凹槽工艺的基础上进行的，利用介质层(11)将空洞层(15)隔成两个区域，再利用介质层(14)将被隔成的两个空洞区域都封闭，最后利用干法的各向异性刻蚀将介质层...
章军云朱赤
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管，包括：衬底、AlGaAs缓冲层、势垒层、低掺杂GaAs层、高掺杂GaAs层、源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间提供第一凹槽，在第一凹槽内提供第二凹槽，在第二凹槽内设置金属层，...
章军云高建峰
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一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法
本发明涉及一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法，包含如下步骤：1）制作掩模版：所述掩模版的每层光刻图形包含纯芯片层和PCM层两种版图，两种版图尺寸相同；2）设定曝光位置：按照PCM测试位置的要求，在需进行PCM测试的位置设...
王溯源俞勇章军云黄念宁
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一种半导体晶体管的制作方法
本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金...
章军云高建峰
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一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法
本发明公开了一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法，金属薄层包括WTi混合金属层、Au金属层、Pd金属层、Ni金属层、Pd金属层及Au金属层；金属薄层通过磁控溅射、电镀等工艺制备而成。相较于现有技术，本发明采用上述金属...
邵国键 葛建雷 周书同 陈韬章军云
一种半导体晶体管的制作方法
本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金...
章军云高建峰
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一种提升频率特性的赝配高电子迁移率晶体管的制作方法
本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管的制作方法，本发明是在普通的双凹槽工艺的基础上进行的，利用介质层(11)将空洞层(15)隔成两个区域，再利用介质层(14)将被隔成的两个空洞区域都封闭，最后利用干法的各向异性刻蚀将介质层...
章军云朱赤
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