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杨晓朋

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇纳米
  • 5篇ZNO纳米
  • 4篇同质结
  • 4篇纳米棒
  • 4篇纳米棒阵列
  • 3篇水平管
  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米线
  • 3篇纳米线阵列
  • 3篇衬底
  • 2篇生长温度
  • 2篇气相
  • 2篇气相法
  • 2篇气相反应
  • 2篇纳米阵列
  • 2篇扩散法
  • 2篇反应气体
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇蒸发法

机构

  • 7篇浙江大学

作者

  • 7篇杨晓朋
  • 6篇吕建国
  • 6篇叶志镇
  • 3篇张宏海
  • 3篇黄俊
  • 2篇胡亮
  • 1篇李洋

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种核壳结构ZnO纳米同质节阵列的制备方法
本发明涉及核壳结构ZnO纳米同质节阵列的制备方法，该ZnO纳米同质节阵列在衬底上自下而上依次有ZnO薄膜，内层ZnO纳米棒阵列和外层ZnO包覆层，制备步骤：1）在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；2）将纯ZnO粉...
叶志镇杨晓朋吕建国
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一种斜向ZnO纳米线阵列及其生长方法
本发明公开的斜向ZnO纳米线阵列，其ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。采用热蒸发法生长。本发明的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法简单易行，重复性高，通过调节源材料加热温度、衬底与源材料的距...
叶志镇张宏海吕建国杨晓朋黄俊李洋
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一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法
本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变...
张宏海吕建国叶志镇胡亮杨晓朋黄俊
文献传递
一种ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法
本发明涉及ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法，先在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；然后将Zn粉、ZnO粉、石墨和掺杂源混合作为源材料，放入一端开口的石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放在...
吕建国杨晓朋叶志镇
一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法
本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变...
张宏海吕建国叶志镇胡亮杨晓朋黄俊
一种ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法
本发明涉及ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法，先在衬底上沉积一层（002）取向的ZnO薄膜；然后将Zn粉、ZnO粉、石墨和掺杂源混合作为源材料，放入一端开口的石英舟的密闭端一侧，将衬底置于石英舟的开口端一侧，石英舟放在...
吕建国杨晓朋叶志镇
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Na掺杂ZnO纳米材料的实验与第一性原理研究
众所周知,ZnO是一种重要的宽禁带、直接禁带半导体,室温下的禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能为60meV。近几年,对ZnO纳米结构的研究以及其潜在的广泛应用,如在光催化、压电效应、光电子学、光电转换与气敏等领域,吸引...
杨晓朋
关键词：纳米棒阵列同质结第一性原理
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