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张宏海

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇纳米线阵列
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇生长温度
  • 2篇探测器
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏传感器
  • 2篇气相
  • 2篇气相法
  • 2篇气相反应
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇外延法
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇纳米阵列

机构

  • 7篇浙江大学

作者

  • 7篇张宏海
  • 6篇叶志镇
  • 5篇吕建国
  • 3篇潘新花
  • 3篇黄俊
  • 3篇杨晓朋
  • 3篇黄靖云
  • 2篇吕斌
  • 2篇胡亮
  • 1篇丁萍
  • 1篇李洋

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
P-MBE法生长ZnMgO合金薄膜及其异质结构的性能研究
ZnO作为一种直接禁带半导体材料，具有3.37 eV的禁带宽度以及60 meV的激子束缚能，在短波长光电器件中具有非常大的应用潜力。ZnO基光电器件应用的一个关键问题是实现能带裁剪从而制备量子阱结构，即能带工程。ZnMg...
张宏海
关键词：合金薄膜缓冲层异质结光电子能谱多量子阱
一种斜向ZnO纳米线阵列及其生长方法
本发明公开的斜向ZnO纳米线阵列，其ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。采用热蒸发法生长。本发明的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法简单易行，重复性高，通过调节源材料加热温度、衬底与源材料的距...
叶志镇张宏海吕建国杨晓朋黄俊李洋
文献传递
一种非极性p-NiO/n-ZnO异质结构及其制备方法
本发明公开的非极性取向的p-NiO/n-ZnO异质结构包括衬底和生长在衬底上的非极性取向的pn结，所述的衬底为m面蓝宝石，pn结是自下而上依次生长在衬底上的（100）取向的n型ZnO薄膜和（100）取向的p型NiO薄膜构...
张宏海吕斌潘新花叶志镇吕建国黄靖云
文献传递
一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法
本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变...
张宏海吕建国叶志镇胡亮杨晓朋黄俊
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一种自支撑GaN基发光器件及其制备方法
本发明公开的自支撑GaN基发光器件，自下而上依次有GaN保护层、GaN缓冲层、n型GaN层、GaN基发光层和p型GaN层。其制备方法如下：先采用分子束外延技术在SiC衬底上依次生长ZnO层和GaN保护层；然后采用金属有机...
潘新花黄靖云叶志镇丁萍张宏海
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一种非极性p-NiO/n-ZnO异质结构及其制备方法
本发明公开的非极性取向的p-NiO/n-ZnO异质结构包括衬底和生长在衬底上的非极性取向的pn结，所述的衬底为m面蓝宝石，pn结是自下而上依次生长在衬底上的（100）取向的n型ZnO薄膜和（100）取向的p型NiO薄膜构...
张宏海吕斌潘新花叶志镇吕建国黄靖云
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一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法
本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变...
张宏海吕建国叶志镇胡亮杨晓朋黄俊
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